一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质，方法包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；根据性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；按照拼接方式对待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。通过提前获取SRAM拼接的性能参数列表，并根据性能参数列表可以同时对多个目标SRAM进行自动拼接，而无需用户针对每个需求指令分别编写相应的代码以实现拼接，从而减少了用户的工作量，由于采用自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及芯片
，尤其涉及一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在数字芯片设计中需要使用静态随机存储存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)来进行数据缓存，通常是设计人员确定所需规格的目标SRAM，通过IP厂商提供的SRAM生成工具产生。由于受生成工具深度和宽度的最大值的限制，通常需要将设计需要的目标SRAM分解为工具可以生成多个较小的物理SRAM，然后通过编写RTL代码的方式将所生成的多个较小的物理SRAM重新拼接成所需要的目标SRAM。
[0003]现有的SRAM拼接方式是设计人员根据需求指令通过工具逐一生成物理SRAM，然后通过编码的方式人工手动实现拼接，但是当存在多个需要拼接的目标SRAM时，每一个目标SRAM都会对应一个需求指令，针对每一个需求指令涉及人员都需要编写对应的代码完成拼接，从而增加了设计人员的工作量，而且还会增加芯片设计的风险。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质，以实现目标SRAM的自动拼接。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片SRAM拼接方法，包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；
[0006]根据性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；
[0007]按照拼接方式对待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。
[0008]第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片SRAM拼接装置，包括：性能参数列表获取模块，用于获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；
[0009]拼接方式确定模块，用于根据性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；
[0010]拼接模块，用于按照拼接方式对待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。
[0011]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，电子设备包括：
[0012]一个或多个处理器；
[0013]存储装置，用于存储一个或多个程序，
[0014]当一个或多个程序被一个或多个处理器执行，使得一个或多个处理器实现如上的方法。
[0015]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程
序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如上的方法。
[0016]本专利技术实施例的技术方案，通过提前获取SRAM拼接的性能参数列表，并根据性能参数列表可以同时对多个目标SRAM进行自动拼接，而无需用户针对每个需求指令分别编写相应的代码以实现拼接，从而减少了用户的工作量，由于采用自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0018]图1A是本专利技术实施例一提供的芯片静态随机存储器SRAM拼接方法的流程图；
[0019]图1B是本专利技术实施例一提供的生成的目标SRAM结构示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例二提供的芯片静态随机存储器SRAM拼接方法的流程图；
[0021]图3是本专利技术实施例三提供的芯片静态随机存储器SRAM拼接装置结构示意图；
[0022]图4是本专利技术实施例四提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0024]另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、软件实现、硬件实现等等。
[0025]实施例一
[0026]图1A是本专利技术实施例提供的一种芯片静态随机存储器SRAM拼接方法流程图，本实施例可适用于对目标SRAM进行自动拼接的情况，该方法可以由本专利技术实施例中的芯片静态随机存储器SRAM拼接装置来执行，该装置可以采用软件和/或硬件的方式实现。如图1A所示，该方法具体包括如下操作：
[0027]步骤S101，获取SRAM拼接的性能参数列表。
[0028]其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息。
[0029]可选的，第一属性信息包括：类型、深度和宽度；第二属性信息包括：校验方式、名称和数量。即在性能参数列表中包括进行拼接的目标SRAM和待拼接子SRAM的基本参数信息，并且在性能参数列表中包含多个目标SRAM，在性能参数列表中各项参数的具体数值已知的情况下，可以通过预设脚本解析性能参数列表中所包含的参数，并自动生成所有需要
拼接的SRAM的RTL代码，其中，预设脚本具体可以是PERL，本实施方式中并不对预设脚本的具体类型进行限定。如下表1所示，为本实施方式中的性能参数列表的示意图：
[0030]表1
[0031][0032]其中，目标SARM类型具体可以采用符号SRAM_TYPE表示，目前常用的类型主要包括：1RW，Two
‑
Port及Dual
‑
Port，并且不同类型的SRAM的读写方式及接口信号都是不相同的，因此可以根据目标SRAM的不同类型产生不同的逻辑及例化方式；目标SRAM深度具体可以采用符号WORDS表示；目标SRAM宽度具体可以采用符号WIDTH表示；校验方式具体可以采用符号SEC
‑
DED表示，目前常用的方式包括：不校验、奇偶校验和错误检查和纠正(Error Checking and Correcting，ECC)校验；本实施方式中支持两种类型的待拼接子SRAM进行拼接，第一类待拼接子SRAM名称具体可以采用符号PHY_RAM0表示，第二类待拼接子SRA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片静态随机存储器SRAM拼接方法，其特征在于，包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，所述性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；根据所述性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，所述拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；按照所述拼接方式对所述待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一属性信息包括：类型、深度和宽度；所述第二属性信息包括：校验方式、名称和数量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述性能参数列表中还包含每个目标SRAM的第三属性信息，所述第三属性信息包括：写位宽；所述按照所述拼接方式对所述待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM之后，还包括：根据所述写位宽执行对每个目标SRAM的数据写操作。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式之前，还包括：通过预设脚本对所述性能参数列表中的名称和数量进行解析获得待拼接子SRAM所对应的生成代码；通过执行所述生成代码生成与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM；根据所述校验方式对所述待拼接子SRAM进行校验，并确定校验通过。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照所述拼接方式对所述待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM，包括：按照所述拼接方式确定待拼接子SRAM读写使能控制有效，以及所述待拼接子SRAM的读写地址；从所述读写地址获取所述待拼接子SRAM；将所述待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SARM。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述拼接方式为深度拼接时，所述按照所述拼接方式确定待拼接子SRAM读写使能控制有效，以及所述待拼接子SRAM的读写地址，包括：获取用户输入的逻辑地址；根据所述目标SRAM的类型确定所述目标SRAM的读写使能控制信号；根据所述目标SRAM的读写使能控制信号、所述逻辑地址与预设地址的关联关系确定待拼接子SRAM读写使能控制有效；根据所述逻辑地址与预设阈值的关联关系，确定所述待拼接子SRAM的读写地址。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文军，
申请(专利权)人：北京物芯科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：