芯片封装结构及其形成方法技术

根据一些实施例，提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括在一基板之上设置一芯片。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。散热壁结构邻近于芯片，且在芯片与散热壁结构之间有一第一间隙。此方法包括在第一间隙中形成一第一导热层。此方法包括在芯片之上形成一第二导热层。此方法包括在基板之上设置一散热罩，以覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。散热罩接合至基板、散热壁结构、第一导热层以及第二导热层。还提供了一种芯片封装结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其形成方法


[0001]本公开的一些实施例涉及半导体封装。

技术介绍

[0002]半导体装置在各种电子应用被使用，例如，个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。为了形成电路组件以及元件，通常通过在半导体基板之上按序地沉积绝缘物或介电层、导电层以及半导体层，并利用光微影工艺以及蚀刻工艺来图案化各种材料层而制造出半导体装置。
[0003]在单一半导体晶圆上，通常制造出数以十计或数以百计的集成电路。通过沿着切割道(scribe lines)切割集成电路(integrated circuit,IC)而分割出个别的晶粒。然后，单独地封装个别的晶粒。通过持续降低最小特征尺寸，其允许在给定面积中整合更多的组件，半导体产业持续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度。然而，因为特征尺寸持续降低，制造工艺持续变得更难以执行。因此，形成具有高集成密度的电子组件的可靠的封装是具挑战性的。

技术实现思路

[0004]根据一些实施例，提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括在一基板之上设置一芯片。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。散热壁结构邻近于芯片，且在芯片与散热壁结构之间有一第一间隙。此方法包括在第一间隙中形成一第一导热层。此方法包括在芯片之上形成一第二导热层。此方法包括在基板之上设置一散热罩，以覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。散热罩接合至基板、散热壁结构、第一导热层以及第二导热层。
[0005]根据一些实施例，提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括将一芯片接合至一基板。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。此方法包括在芯片之上以及在芯片与散热壁结构之间形成一导热层。此方法包括将一散热罩接合至基板、散热壁结构以及导热层。
[0006]根据一些实施例，提供了一种芯片封装结构。芯片封装结构包括一基板、一芯片、一散热壁结构、一第一导热层、一第二导热层以及一散热罩。芯片在基板之上。散热壁结构在基板之上，并与芯片分隔。第一导热层在散热壁结构与芯片之间。第二导热层，在芯片之上。散热罩在基板之上，并覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。
附图说明
[0007]当阅读说明书附图时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，各种特征并不一定按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。
[0008]图1A至图1E是根据一些实施例来形成芯片封装结构的工艺的各种阶段的剖面图。
[0009]图1B-1是根据一些实施例的图1B的芯片封装结构的俯视图。
[0010]图1C-1是根据一些实施例的图1C的芯片封装结构的俯视图。
[0011]图1D-1是根据一些实施例的图1D的芯片封装结构的俯视图。
[0012]图1E-1是根据一些实施例的图1E的芯片封装结构的俯视图。
[0013]图2A是根据一些实施例的芯片封装结构的俯视图。
[0014]图2B是示出根据一些实施例的沿着图2A中的剖面线I-I
’
的芯片封装结构的剖面图。
[0015]图3是根据一些实施例的芯片封装结构的俯视图。
[0016]图4是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0017]图5A是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0018]图5B是根据一些实施例的图5A的芯片封装结构的俯视图。
[0019]图6是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0020]图7是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0021]图8是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0022]图9是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0023]图10是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0024]图11是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0025]图12是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
[0026]附图标记说明：
[0027]100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200：芯片封装结构
[0028]110：基板
[0029]111：基板的顶面
[0030]112：介电层
[0031]114：导电垫
[0032]116：线路层
[0033]118：导电导孔
[0034]120：芯片
[0035]120c：角落部分
[0036]121：高性能装置
[0037]122：基板
[0038]122a：前表面
[0039]122b：后表面
[0040]122c、122d、122e、122f：侧
[0041]124：重分布层
[0042]126、228：交界层
[0043]128：芯片的侧壁
[0044]129：芯片的顶表面
[0045]130：凸块
[0046]140：底部填充层
[0047]150、170、210：粘着层
[0048]152、154、172、174：粘着层的条状部分
[0049]160：散热壁结构
[0050]162、164：散热壁结构的条状部分
[0051]166：散热壁结构的侧壁
[0052]166a：凹槽
[0053]180、190、1010：导热层
[0054]182：导热层的顶部部分
[0055]184、192：导热层的顶表面
[0056]186、188：导热层的条状部分
[0057]194：导热层的边缘部分
[0058]220：散热罩
[0059]222：顶板
[0060]222a：顶板的下表面
[0061]224：罩侧壁结构
[0062]224a：罩侧壁结构的外侧壁
[0063]226：外缘部分
[0064]A1、A2、A3：距离
[0065]D1、D2、D3、D4：深度
[0066]G1、G2、G3：间隙
[0067]T1：厚度
[0068]W1、W2、W3、W4：宽度
具体实施方式
[0069]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，范例仅供说明用且意欲不限于此。例如，若说明书叙述了第一特征形成于第二特征之上，即表示可包括上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可包括有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可未直接接触的实施例。除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的参考符号及/或字母。这样的重复是为了简化以及清楚的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。
[0070]除此之外，所使用的空间相关用词，例如：“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成芯片封装结构的方法，包括：在一基板之上设置一芯片；在该基板之上形成一散热壁结构，其中该散热壁结构邻近于该芯片，且在该芯片与该散热壁结构之间有一第一间隙；在该第一间隙中形成一第一导热层；在该芯片之上形成一第二导热层；以及在该基板之上设置一散热罩，以覆盖该散热壁结构、该第一导热层、该第二导热层以及该芯片，其中该散热罩接合至该基板、该散热壁结构、该第一导热层以及该第二导热层。2.如权利要求1所述的形成芯片封装结构的方法，其中在该基板之上设置该散热罩之后，该第一导热层直接接触该散热罩、该第二导热层、该散热壁结构以及该基板。3.如权利要求1所述的形成芯片封装结构的方法，其中该第二导热层的一第一导热系数大于该第一导热层的一第二导热系数，且该第二导热系数大于空气的一第三导热系数。4.如权利要求1所述的形成芯片封装结构的方法，其中该芯片通过一凸块而接合至该基板，在该芯片与该基板之间有一第二间隙，该凸块在该第二间隙中，且该第一导热层延伸至该第二间隙中并围绕该凸块。5.如权利要求1所述的形成芯片封装结构的方法，其中该第一导热层较该第二导热层软。6.一种形成芯片封装结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：季昕，许桀豪，张国钦，林政男，李明机，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：