【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘着性膜及电子装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及粘着性膜以及电子装置的制造方法。
技术介绍
[0002]作为能够谋求电子装置(例如,半导体装置)的小型化、轻量化的技术,开发了扇出型WLP(晶片级封装)。
[0003]在作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列(Embedded Wafer Level Ball Grid Array))中,采用了下述方法:在粘贴于支撑基板的粘着性膜上,将半导体芯片等多个电子部件以分开的状态进行临时固定,利用密封材将多个电子部件一并密封。这里,粘着性膜在密封工序等中需要使其牢固粘着于电子部件和支撑基板,密封后需要与支撑基板一起从被密封的电子部件除去。
[0004]作为这样的扇出型WLP的制造方法相关的技术,可举出例如,专利文献1(日本特开2011
‑
134811号)所记载的技术。
[0005]专利文献1中记载了一种半导体装置制造用耐热性粘着片,其特征在于:是在将无基板半导体芯片进行树脂密封时,粘附而使用的半导体装置制造用耐热 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘着性膜,其为用于在电子装置的制造工序中通过密封材将电子部件进行密封时,将所述电子部件进行临时固定的粘着性膜,其具备:用于将所述电子部件进行临时固定的粘着性树脂层(A)、用于粘贴于支撑基板,并且通过外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)、以及设置于所述粘着性树脂层(A)与所述粘着性树脂层(B)之间的中间层(C),所述中间层(C)的120℃时的储能弹性模量E
’
为1.0
×
105Pa以上8.0
×
106Pa以下,并且所述中间层(C)的120℃时的损耗角正切(tanδ)为0.1以下。2.根据权利要求1所述的粘着性膜,所述粘着性树脂层(B)通过加热而粘着力降低。3.根据权利要求2所述的粘着性膜,所述粘着性树脂层(B)包含选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种。4.根据权利要求1~3中任一项所述的粘着性膜,在将所述粘着性树脂...
【专利技术属性】
技术研发人员:栗原宏嘉,五十岚康二,
申请(专利权)人:三井化学东赛璐株式会社,
类型:发明
国别省市:
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