一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置，包括底座、籽晶和冷却装置，本实用新型专利技术通过在炉体内部上端设置了冷却装置，依次将进水管和出水管与外部水冷设备连接，然后在将进气管和出气管与外部惰性气体设备连接，然后在外部水冷设备与外部惰性气体设备的运行作用下，使水冷管实现冷却箱内部的循环活动，而在惰性气体循环下，进一步加大冷却箱内部冷却效果，然后单晶棒移入到冷却箱中部时，会在冷却箱内部冷却效果下，实现对单晶棒的冷却，避免单晶棒生长缺陷，从而达到了提高对单晶硅生产速率，避免生产缺陷的优点。避免生产缺陷的优点。避免生产缺陷的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置


[0001]本技术具体是一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置，涉及单晶硅生产加工相关领域。

技术介绍

[0002]如今，单晶硅是大多数半导体元器件的基底材料，而在单晶硅的生产需要经过装料、熔化、缩颈生长、放肩生长、等径生长与尾部生长六个加工生产过程，将多晶硅硅料放置在石英坩埚内融化，然后将籽晶和熔体接触，使固液界面处的熔硅沿着籽晶冷却结晶，并通过缓慢拉出籽晶而生长，缩颈完成之后通过降低拉速和熔体温度来放大晶体生长直径直至达到目标直径；转肩之后，通过控制拉速和熔体温度使晶体生长进入“等径生长”阶段；最后，通过增大拉速和提高熔体温度使晶体生长面的直径逐步减小形成尾锥，直至最后晶体离开熔体表面，即完成了单晶硅棒的生长。
[0003]而在进行单晶硅生产加工拉晶炉的使用时，炉体内部所使用的冷却措施一般采用惰性气体进行冷却，或者采用水冷方式冷却，从而单一的冷却方式，冷却效果较低，不能够充分实现对单晶硅的冷却，无法很好的提高单晶硅的生长速度。

技术实现思路

[0004]因此，为了解决上述不足，本技术在此提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置，包括底座(1)和籽晶(6)，所述底座(1)上端右侧设置有控制箱(2)；其特征在于：还包括冷却装置(13)，所述冷却装置(13)设置于炉体(5)内部上端，所述冷却装置(13)包括冷却箱(131)、水冷管(132)、进水管(133)、出水管(134)、进气管(135)、出气管(136)和通孔(137)，所述冷却箱(131)固定连接于炉体(5)上端内部，并且冷却箱(131)内部设置有水冷管(132)，所述水冷管(132)左侧插接固定有进水管(133)，并且水冷管(132)右侧插接固定有出水管(134)，所述进气管(135)与冷却箱(131)左侧上端插接固定，并且进气管(135)左侧与炉体(5)插接固定，所述出气管(136)与冷却箱(131)右侧上端插接固定，并且出气管(136)右侧与炉体(5)插接固定，所述通孔(137)开设于冷却箱(131)中部。2.根据权利要求1所述一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置，其特征在于：所述控制箱(2)前端设置有控制面板(3)，并且控制箱(2)后侧设置有电源线(4)，所述底座(1)左侧上端固定连接有炉体(5)，所述籽晶(6)设置于炉体(5)上端内部，并且籽晶(6)下端设置有单晶棒(7)，所述单晶棒(7)下端与坩埚(8)相贴合，所述坩埚(8)设置于加热器(9)上端内部，并且坩埚(8)下端转动连接有坩埚轴(10)，所述加热器(9)安装于炉体(5)内部下端，并且加热器(9)内部下端设置有炉底护盘(12)...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌继贝，张忠华，张俊，吴雄，
申请(专利权)人：内蒙古豪安能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：