【技术实现步骤摘要】
一种准分子激光器
[0001]本申请涉及气体激光器
,具体涉及一种准分子激光器。
技术介绍
[0002]193nm准分子激光器是大规模集成电路制造业应用的主流曝光光源。大规模集成电路制造业要求193nm光刻用准分子激光器输出的激光具有很高的激光偏振度,如95%甚至更高。
[0003]准分子激光器有两个放电腔(如种子腔、能量放大腔),两个放电腔之间存在一定空间距离,在两个放电腔之间分布了很多的光学传导元件(如高反射镜)。任何一个光学传导元件都会对激光偏振度产生影响,同时由于种子光从种子腔输出直至从能量放大腔放大输出,过程中需经历长达数米的长光程传输。长距离传输时,大气因素干扰、外界环境电磁场的影响等因素可能都会对激光偏振特性产生影响,产生激光退偏现象,导致激光偏振度降低,使所需要的目标偏振态激光(如水平偏振态激光)传输效率降低。
[0004]因此,如何提高准分子激光器的激光偏振度以及激光传输效率成为亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本申请的目的是提供一种准分子激光器。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种准分子激光器,包括:线宽压窄模块、种子腔、能量放大腔以及设置在所述种子腔至所述能量放大腔的光路上的多个高反射镜,其特征在于:所述多个高反射镜包括第一高反射镜、第二高反射镜、第三高反射镜、第四高反射镜和第五高反射镜;所述种子腔与所述能量放大腔在垂直于水平面的方向上分别上下排布,所述第一高反射镜、第二高反射镜与所述种子腔位于同一水平面,所述第一高反射镜和第二高反射镜位于所述种子腔的右侧;所述第一高反射镜的中心位于所述种子腔的光轴延长线上;所述第三高反射镜、所述第四高反射镜、所述第五高反射镜和所述能量放大腔位于同一水平面上,所述第三高反射镜和所述第四高反射镜位于所述能量放大腔的右侧,所述第五高反射镜位于所述能量放大腔的左侧;所述第四高反射镜的中心位于所述能量放大腔的光轴的延长线上;所述第三高反射镜位于第二高反射镜的正下方,所述第四高反射镜位于第一高反射镜的正下方;所述第一高反射镜、所述第四高反射镜和所述第五高反射镜的表面设有水平偏振态高反射膜层;所述第二高反射镜和所述第三高反射镜的表面设有垂直偏振态高反射膜层。2.根据权利要求1所述的准分子激光器,其特征在于,所述第一高反射镜、所述第二高反射镜、所述第三高反射镜的入射角均为45
°
,所述第四高反射镜、所述第五高反射镜的入射角均在44
...
【专利技术属性】
技术研发人员:李慧,赵江山,范元媛,谢婉露,罗艳,崔惠绒,张立佳,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:新型
国别省市:
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