一种4000W全桥逆变驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种4000W全桥逆变驱动电路，通过使用场效应管Q1

【技术实现步骤摘要】
一种4000W全桥逆变驱动电路


[0001]本技术涉及逆变器
，尤其涉及一种4000W全桥逆变驱动电路。

技术介绍

[0002]逆变器是一种把直流变交流的电路结构设备，全桥逆变驱动电路和半桥逆变驱动电路是内部驱动电路的结构形式，全桥逆变驱动电路是由四个驱动管轮流工作于正弦波的各个波段，半桥逆变驱动电路是两个驱动管轮流工作于正弦波的各个波段，相对半桥逆变驱动电路而言，全桥逆变驱动电路的开关电流较低，因而在大功率场合得到了广泛应用。当要求全桥逆变驱动电路输出的功率为4000W时，要求输入全桥逆变驱动电路的正弦波脉冲频率高，现有4000W全桥逆变驱动电路采用四个场效应管轮流工作于正弦波的各个波段，由于输入四个场效应管的正弦波频率很高，流过场效应管的电流大，场效应管温度升高，场效应管内阻阻值变高，导致场效应管功率损耗高。
[0003]因此，为了解决上述问题，本技术提出了一种4000W全桥逆变驱动电路，使用八个场效应管并联分流，使流过每个场效应管的电流变小，场效应管温度、内阻阻值和功率损耗降低，解决现有4000W全桥逆变驱动电路中场效应管功率损耗高的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提出了一种4000W全桥逆变驱动电路，使用八个场效应管并联分流，使流过每个场效应管的电流变小，场效应管温度、内阻阻值和功率损耗降低，解决现有4000W全桥逆变驱动电路中场效应管功率损耗高的问题。
[0005]本技术的技术方案是这样实现的：本技术提供了一种4000W全桥逆变驱动电路，其包括CPU芯片，还包括场效应管Q1
‑
Q8；
[0006]CPU芯片的SPWM1输出端口分别与场效应管Q1的栅极和场效应管Q2的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM2输出端口分别与场效应管Q3的栅极和场效应管Q4的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM3输出端口分别与场效应管Q5的栅极和场效应管Q6的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM4输出端口分别与场效应管Q7的栅极和场效应管Q8的栅极电性连接；
[0007]场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极均与高压直流电源电性连接，场效应管Q1的源极与场效应管Q2的源极电性连接，场效应管Q2的源极分别与场效应管Q3的漏极、场效应管Q4的漏极、场效应管Q7的漏极和场效应管Q8 的漏极电性连接，场效应管Q3的源极、场效应管Q4的源极、场效应管Q7的源极和场效应管Q8的源极均接地；
[0008]场效应管Q5的漏极和场效应管Q6的漏极均与高压直流电源电性连接，场效应管Q5的源极与场效应管Q6的源极电性连接，场效应管Q6的源极与场效应管Q3的漏极电性连接；
[0009]场效应管Q2的源极和场效应管Q3的漏极的中间连接点输出正向方波信号，场效应管Q6的源极和场效应管Q7的漏极的中间连接点输出反向方波信号。
[0010]在以上技术方案的基础上，优选的，还包括八组结构相同的均流电路；
[0011]八组结构相同的均流电路分别一一对应地串联在场效应管Q1
‑
Q8与CPU芯片之间
的线路中。
[0012]更进一步优选的，均流电路包括二极管D1、电阻R37和电阻R60；
[0013]CPU芯片的SPWM1
‑
4输出端口中任一个SPWM输出端口分别与电阻R37 的一端和二极管D1的负极电性连接，电阻R37的另一端和与二极管D1的正极电性连接，二极管D1的正极与SPWM输出端口对应的一个场效应管的栅极电性连接，电阻R60的一端与电阻R37的另一端电性连接，电阻R60的另一端接地。
[0014]在以上技术方案的基础上，优选的，还包括第一吸收电路和第二吸收电路；
[0015]第一吸收电路并联在场效应管Q1的漏极和场效应管Q4的源极之间，第二吸收电路并联在场效应管Q5的漏极和场效应管Q8的源极之间。
[0016]更进一步优选的，第一吸收电路包括电容C8、二极管D35和电阻R98；
[0017]场效应管Q1的漏极与电容C8的一端电性连接，电容C8的另一端分别与二极管D35的正极和电阻R98的一端电性连接，二极管D35的负极和电阻R98 的另一端分别与场效应管Q4的源极电性连接。
[0018]在以上技术方案的基础上，优选的，还包括滤波电路；
[0019]滤波电路的输入端与场效应管Q2的源极电性连接，滤波电路的输出端与场效应管Q6的源极电性连接。
[0020]在以上技术方案的基础上，优选的，还包括电压采集电路；
[0021]电压采集电路的输入端与场效应管Q2的源极电性连接，电压采集电路的输出端与CPU芯片的电压反馈输入端电性连接。
[0022]更进一步优选的，电压采集电路包括：电阻R1
‑
R3、电位器R4和电容C50；
[0023]场效应管Q2的源极通过依次串联的电阻R1和电阻R2分别与电位器R4的第一引脚、电阻R3的一端、电容C50的一端以及CPU芯片的反馈输入端电性连接，电位器R4的第三引脚、电阻R3的另一端和电容C50的另一端均接地，电位器R4的第二引脚与其第一引脚电性连接。
[0024]本技术的一种4000W全桥逆变驱动电路相对于现有技术具有以下有益效果：
[0025](1)通过使用场效应管Q1
‑
Q8并联分流，场效应管Q1和场效应管Q2对CPU 芯片提供的SPWM1脉冲信号并联分流，场效应管Q3和场效应管Q4对CPU芯片提供的SPWM2脉冲信号并联分流，场效应管Q5和场效应管Q6对CPU芯片提供的SPWM3脉冲信号并联分流，场效应管Q7和场效应管Q8对CPU芯片提供的SPWM4脉冲信号并联分流，使流过每个场效应管的电流变小，场效应管温度、内阻阻值和功率损耗都降低，解决现有4000W全桥逆变驱动电路中场效应管功率损耗高的问题；
[0026](2)通过设置八组均流电路和两组吸收电路，一方面，通过八组均流电路并联均流，实现场效应管Q1
‑
Q8上的负载电流相等，电流分配均衡，使场效应管输出电流更稳定，防止场效应管二次击穿，提高场效应管的可靠性；另一方面，通过两组吸收电路，吸收场效应管由于输出电流不稳定产生的浪涌电流和尖峰电压，防止场效应管二次击穿，与八组均流电路相配合，进一步使场效应管输出电流更稳定，提高场效应管的可靠性；
[0027](3)通过设置滤波电路，滤除每个场效应管输出信号中的存在的高频谐波信号，使场效应管输出信号更稳定，提高场效应管的可靠性；
[0028](4)通过设置电压采集电路，实现CPU芯片SPWM输出端口输出到场效应管的SPWM正弦脉冲信号始终是稳定的，使场效应管输出电流更稳定，保护场效应管不会因为过流而烧
坏，提高场效应管的可靠性。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种4000W全桥逆变驱动电路，其包括CPU芯片，其特征在于：还包括场效应管Q1
‑
Q8；所述CPU芯片的SPWM1输出端口分别与场效应管Q1的栅极和场效应管Q2的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM2输出端口分别与场效应管Q3的栅极和场效应管Q4的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM3输出端口分别与场效应管Q5的栅极和场效应管Q6的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM4输出端口分别与场效应管Q7的栅极和场效应管Q8的栅极电性连接；所述场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极均与高压直流电源电性连接，场效应管Q1的源极与场效应管Q2的源极电性连接，场效应管Q2的源极分别与场效应管Q3的漏极、场效应管Q4的漏极、场效应管Q7的漏极和场效应管Q8的漏极电性连接，场效应管Q3的源极、场效应管Q4的源极、场效应管Q7的源极和场效应管Q8的源极均接地；所述场效应管Q5的漏极和场效应管Q6的漏极均与高压直流电源电性连接，场效应管Q5的源极与场效应管Q6的源极电性连接，场效应管Q6的源极与场效应管Q3的漏极电性连接；所述场效应管Q2的源极和场效应管Q3的漏极的中间连接点输出正向方波信号，场效应管Q6的源极和场效应管Q7的漏极的中间连接点输出反向方波信号。2.如权利要求1所述的一种4000W全桥逆变驱动电路，其特征在于：还包括八组结构相同的均流电路；所述八组结构相同的均流电路分别一一对应地串联在场效应管Q1
‑
Q8与CPU芯片之间的线路中。3.如权利要求2所述的一种4000W全桥逆变驱动电路，其特征在于：所述均流电路包括二极管D1、电阻R37和电阻R60；所述CPU芯片的SPWM1
‑
4输出端口中任一个SPWM输出端口分别与电阻R37的一端和二极管D1的负极电性连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张远林，赵云，
申请(专利权)人：武汉冠优新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：