低温传感器器件制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种低温传感器器件，包括基底以及覆盖设置在所述基底上方的器件上盖，所述基底与所述器件上盖限定一收容空间，所述收容空间内置有一耐低温芯片，所述耐低温芯片通过耐低温胶水层固定于所述基底上，所述基底与所述器件上盖通过耐低温胶水层相固定，所述基底的上表面上镀制有金属膜，所述金属膜的部分置于所述收容空间内，并通过一金丝与所述耐低温芯片导通，另一部分置于所述收容空间外延伸至裸露台上，与两根镀金铜线分别导通。本实用新型专利技术技术方案提高了低温传感器器件的可靠性，器件性能稳定，低应力，也降低了封装的难度，封装全程无需在高温条件下作业，减少了测温传感器因高温带来的氧化问题，对芯片损伤小。小。小。

【技术实现步骤摘要】
低温传感器器件


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其是一种低温传感器器件。

技术介绍

[0002]低温，是指温度范围在0.05K到100K之间，该温度范围中的最低温度接近绝对零度温度，正常封装结构和材料在这样极低的温度状态下会产生失效，致使传感器无法正常工作。常规的高可靠性封装采用陶瓷底壳和陶瓷上盖之间采用金锡焊接的封装方法，这是目前是工业上最坚固、最通用、最好的传感器封装方式。但是需要传感器本身需要耐高温。因为这种封装方法的正常焊接温度达到320
°
C，对于有些不耐高温传感器芯片来说，这无疑是非常致命的问题，高温下传感器芯片本身会产生大的变形和氧化，从而严重影响了传感器芯片本身的测温性能。

技术实现思路

[0003]本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种低温传感器器件。
[0004]本技术的目的通过以下技术方案来实现：
[0005]一种低温传感器器件，包括基底以及覆盖设置在所述基底上方的器件上盖，所述基底与所述器件上盖限定一收容空间，所述收容空间内置有一耐低温芯片，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温传感器器件，包括基底（1）以及覆盖设置在所述基底（1）上方的器件上盖（2），所述基底（1）与所述器件上盖（2）限定一收容空间（3），所述收容空间（3）内置有一耐低温芯片（4），所述耐低温芯片（4）固定于所述基底（1）的上表面，其特征在于：所述器件上盖（2）的宽度等于所述基底（1）的宽度，所述器件上盖（2）的长度小于所述基底（1）的长度以至于所述基底（1）的至少部分上表面露出所述器件上盖（2）之外形成裸露台（10），所述耐低温芯片（4）通过耐低温胶水层（5）固定于所述基底（1）上，所述基底（1）与所述器件上盖（2）通过耐低温胶水层（5）相固定，所述基底（1）的上表面上镀制有金属膜（6），所述金属膜（6）的部分置于所述收容空间（3）内，并通过一金丝（7）与所述耐低温芯片（4）导通，另一部分置于所述收容空间（3）外延伸至所述裸露台（10）上，与两根镀金铜线（8）分别导通。2.根据权利要求1所述低温传感器器件，其特征在于：所述基底（1）为蓝宝石基底。3.根据权利要求1所述低温传感器器件，其特征在于：所述器件上盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建国，申亚琪，
申请(专利权)人：苏州捷研芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：