【技术实现步骤摘要】
一种氮化硼坩埚氧化装置及氮化硼坩埚的安装结构
[0001]本技术涉及一种氮化硼坩埚氧化装置及氮化硼坩埚的安装结构,属于氮化硼坩埚氧化领域。
技术介绍
[0002]氮化硼坩埚是生长Ⅲ、
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族化合物半导体晶圆棒的最常用的设备,但存在造价高昂、壁薄,易损坏、使用寿命短的特点。
[0003]为了确保生长晶体的质量和后续便于脱模,氮化硼坩埚不能直接使用,需要先在内部氧化一层薄薄的氧化膜。现有的氧化设备,会在氧化腔体内直接通入氧气,导致氮化硼坩埚内外壁都会被氧化,壁厚进一步缩减,并破坏了坩埚的硬度,大大减少了使用寿命,只能使用3
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5次就会损坏,而一个氮化硼坩埚造价约5000
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8000元,造成大量的成本浪费。
技术实现思路
[0004]本技术提供一种氮化硼坩埚氧化装置及氮化硼坩埚的安装结构,可只氧化氮化硼坩埚内壁,外壁在惰性气体(氮气等)的保护下,不被氧化,有效增加了坩埚的使用寿命和晶体生长的成晶率,并为后续脱模做好准备;结构简单,方便操作,可控性好。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化硼坩埚氧化装置,其特征在于:包括加热套、加热管、惰性气体进管、管塞、氧气进管、氧气出管和支架;加热套安装在支架上;加热管水平地设置在加热套内;加热管一端为封端结构、另一端为敞口结构,管塞活动设置在加热管敞口一端内侧、且管塞与加热管内侧壁之间留有间隙,加热管内底部设有坩埚支撑座;惰性气体进管、氧气进管和氧气出管均为一端为进气端、另一端为出气端,惰性气体进管的进气端位于加热管外、出气端从加热管的封端一端伸入加热管内,氧气进管的进气端位于加热管外、出气端穿过管塞伸入加热管内,氧气出管的出气端位于加热管外、进气端从加热管的封端一端伸入加热管内。2.如权利要求1所述的氮化硼坩埚氧化装置,其特征在于:加热管内底部设有沿轴向设置的两个以上的坩埚支撑座。3.如权利要求1或2所述的氮化硼坩埚氧化装置,其特征在于:加热管、惰性气体进管、氧气进管和氧气出管均为石英管。4.如权利要求1或2所述的氮化硼坩埚氧化装置,其特征在于:支架包括支撑面和支撑腿,支撑腿有两组、且相对设置在支撑面底部两端;加热套安装在支撑面上。5.一种氮化硼坩埚在权利要求1
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4任意一项所述的氮化硼坩埚氧化装置中的安装结构...
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