【技术实现步骤摘要】
一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置
[0001]本专利技术涉及半导体加工设备
,具体为一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置。
技术介绍
[0002]半导体在浇灌的过程中,容易出现液体不融合的情况,容易顺着一些吸附力较强的金属等材质细小的杂质混合在一起,在浇灌的过程中,这些杂质黏合在一起,就会造成半导体的纯度降低,若是两片杂质刚好折叠形成死角线,就会容易给半导体的内部造成气泡,容易使半导体成品的合格率下降,影响产品质量。
技术实现思路
[0003](一)技术方案
[0004]为解决上述的问题,本专利技术提供如下技术方案:一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,包括活动盘,所述活动盘的底侧贯穿有连接筒,连接筒的内侧壁中贯穿有活动圈,活动圈的外侧壁中贯穿连接筒的侧壁活动连接有活动块,连接筒的外侧壁贯穿有活动筒,活动筒的顶端固定连接有连接块,连接块的顶端活动连接有活动球,所述活动筒的内部贯穿有活动管,活动管的侧壁之间活动连接有连接索,所述连接筒的内部贯穿有连接管 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,包括活动盘(1),其特征在于:所述活动盘(1)的底侧贯穿有连接筒(2),连接筒(2)的内侧壁中贯穿有活动圈(3),活动圈(3)的外侧壁中贯穿连接筒(2)的侧壁活动连接有活动块(4),连接筒(2)的外侧壁贯穿有活动筒(5),活动筒(5)的顶端固定连接有连接块(8),连接块(8)的顶端活动连接有活动球(9),所述活动筒(5)的内部贯穿有活动管(6),活动管(6)的侧壁之间活动连接有连接索(7),所述连接筒(2)的内部贯穿有连接管(11),连接管(11)的侧壁处贯穿有连接片(10),连接管(11)的侧壁处固定连接有连接杆(12),连接杆(12)的侧壁远离连接管(11)的一端活动连接有活动珠(13),所述连接筒(2)的侧壁处贯穿有连接圈(14),连接圈(14)位于连接筒(2)外侧壁的部位固定连接有吸附块(15),吸附块(15)的外侧壁处固定连接有磁块(16)。2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈一霖,
申请(专利权)人:凌鹰文案策划温州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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