【技术实现步骤摘要】
基于错误率的动态存储器刷新控制方法及装置
[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其是指一种基于错误率的动态存储器刷新控制方法及装置。
技术介绍
[0002]DRAM动态存储器的结构为1T1C，即一个开关晶体管加一个电容，根据电容充放电来进行数据0、1的储存。由于电容的电荷会随时间流失，因此需要定时刷新存储单元，给电容重新充电来保持数据。
[0003]若存储单元的电容受到辐射、温度等影响，存储器的数据保持时间则会受到影响而减少，发生数据错误。此时，若加快刷新速度，可以避免数据由于保持时间缩短而出现错误。
[0004]目前的解决方案多数是根据芯片的工作温度来调整刷新周期。但温度只是一个导致电容漏电更快的因素，还有使用寿命、辐照环境等因素也会导致电容更快漏电。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：由各种因素导致的存储单元数据保持时间缩短的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0007]第一方面，本专利技术提供了一种基于错...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述方法包括：根据错误率调整刷新周期；根据调整后的所述刷新周期发送刷新指令。2.如权利要求1所述的基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述根据错误率调整刷新周期之前包括:对输入数据进行编码得到第一校验码；对读出数据进行编码得到第二校验码；对比所述第一校验码与第二校验码，若所述第一校验码与第二校验码不同，则读出数据出现错误，并计算所述读出数据的错误率。3.如权利要求2所述的基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述对输入数据进行编码得到第一校验码之后包括：将所述第一校验码与输入数据存入存储阵列。4.如权利要求3所述的基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述根据错误率调整刷新周期还包括：基于检错算法得出所述错误率。5.如权利要求4所述的基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述检错算法包括循环冗余码校验CRC。6.如权利要求5所述的基于错误率的动态存储器刷新控制方法，其特征在于：所述根据调整后的所述刷新周期发...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷中云，唐越，邓玉良，方晓伟，苏通，朱晓锐，
申请(专利权)人：深圳市国微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。