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本发明提供了一种基于错误率的动态存储器刷新控制方法，所述方法包括：根据错误率调整刷新周期；根据调整后的所述刷新周期发送刷新指令。根据动态存储器读取时的错误率而调整DRAM动态存储器的刷新周期，从而可以解决由各种因素导致的存储单元数据保持时间...
该专利属于深圳市国微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市国微电子有限公司授权不得商用。

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