一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器制造技术

本发明专利技术提出一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器，包括：放大电路；偏置网络，用于为所述放大电路的输入端提供偏置电压，所述偏置网络的输出端与所述放大电路的输入端连接；阻容负反馈网络，用于为所述放大电路提供负反馈，以确定所述放大电路的增益；所述阻容负反馈网络的一端与所述放大电路的输入端连接，另一端与所述放大电路的输出端连接；输出网络，用于连接电源并为所述放大电路的输出端提供偏置电压；电阻负反馈网络，用于调整所述放大电路的功率增益和/或阻抗匹配，并为所述放大电路提供直流电流；本发明专利技术可有效提高中功率放大器增益随温度变化的稳定性，满足低功耗宽带高线性度应用需求。宽带高线性度应用需求。宽带高线性度应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域领域，尤其涉及一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器。

技术介绍

[0002]射频放大器是无线收发系统中的关键元器件，广泛应用于无线通信、广播电视、点对点通信等领域。其功能是将射频微弱信号进行放大。中功率射频放大器主要应用于接收机和发射机的中间级，实现对信号链路的增益调整。传统基于硅基BJT实现的中功率放大器在5V及以下电源供电时存在高低温下电源电流和输出1dB压缩点波动大，输出1dB压缩点低的问题，因此通常情况下中功率放大器需要8V以上电源供电，而基于GaAs PHEMT工艺实现的5V及以下供电的宽带中功率射频放大器存在体积大、成本高等问题。
[0003]现代无线收发系统对中功率放大器均需要低压、小体积、宽带、高线性度等，这样可以降低系统总体的功耗并获得大的系统动态范围，低压中功率放大器设计具有非常重要的工程价值。

技术实现思路

[0004]鉴于以上现有技术存在的问题，本专利技术提出一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器，其特征在于，包括：放大电路；偏置网络，用于为所述放大电路的输入端提供偏置电压，所述偏置网络的输出端与所述放大电路的输入端连接；阻容负反馈网络，用于为所述放大电路提供负反馈，以确定所述放大电路的增益；所述阻容负反馈网络的一端与所述放大电路的输入端连接，另一端与所述放大电路的输出端连接；输出网络，用于连接电源并为所述放大电路的输出端提供偏置电压；电阻负反馈网络，用于调整所述放大电路的功率增益和/或阻抗匹配，并为所述放大电路提供直流电流。2.根据权利要求1所述的基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器，其特征在于，所述放大电路包括：第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极作为所述放大电路的输入端；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极连接作为所述放大电路的输出端；所述第一三极管的发射极分别与所述第二三极管的发射极和所述电阻负反馈网络的其中一个连接点连接；所述第二三极管的发射极与所述电阻负反馈网络的另一个连接点连接。3.根据权利要求1所述的基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器，其特征在于，所述偏置网络包括第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述第五三极管的发射极接地，集电极和基极相连后与所述第四三极管的发射机连接；所述第四三极管的集电极和基极相连后与所述第三三极管的发射极连接；所述第三三极管的基极与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三三极管的集电极和所述第六三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟东，庞佑兵，刘登学，杨帆，杨超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：