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本发明提出一种基于硅基BJT工艺的低压中功率射频放大器，包括：放大电路；偏置网络，用于为所述放大电路的输入端提供偏置电压，所述偏置网络的输出端与所述放大电路的输入端连接；阻容负反馈网络，用于为所述放大电路提供负反馈，以确定所述放大电路的增益...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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