一种倒装电极及其制作方法技术

一种倒装电极及其制作方法，其中方法包括如下步骤，制作第1层Cr层；制作第2层AlCu合金层；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，形成第3

【技术实现步骤摘要】
一种倒装电极及其制作方法


[0001]本专利技术涉及倒装电极设计，尤其涉及一种提升倒装电极性能的制作方法。

技术介绍

[0002]氮化镓基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有功能损耗低、寿命长、可靠性好等优点被广泛应用于信号灯、背光源显示、汽车照明及室内照明等领域。随着大功率高光效LED的普及和应用，倒装产品(Filp Chip)具有更广阔的应用市场、应用价值更高。目前在处理芯片级封装技术上，LED固晶机、贴片机等传统贴片封装设备在处理芯片与蓝膜分离上，普遍使用顶针刺破蓝膜的办法；本产品设计的倒装结构产品需要进行上述的顶针性能验证，现有技术中如CN 201320549532.1和CN 201320550892.3介绍的倒装芯片，均存在电极耗费高的问题。

技术实现思路

[0003]为此，需要提供一种能够提高倒装电极的芯片抗顶针测试性能的方法。
[0004]一种倒装电极的制作方法，包括如下步骤，
[0005]制作第1层Cr层；
[0006]制作第2层AlCu合金层；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤，制作第1层Cr层；制作第2层AlCu合金层；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，形成第3
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8层的TiPt复合层；制作第9层Au层；蒸镀第10Ti层及第11层Pt层；制作第12层Au层；制作第13层Ti层。2.根据权利要求1所述的倒装电极的制作方法，其特征在于，具体包括步骤，制作第1层Cr层，以0.2A/S的镀率对芯片表面进行镀膜；制作第2层AlCu合金层，以5A/S的镀率进行镀膜；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，以1A/S的镀率进行Ti层镀膜，以1A/S的镀率进行Pt层镀膜，形成第3
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8层的TiPt复合层；制作第9层Au层，以10A/S的镀率进行镀膜；蒸镀第10Ti层及第11层Pt层，以1A/S的镀率进行Ti层镀膜，以1A/S的镀率进行Pt层镀膜；制作第12层Au层，以10A/S的镀率进行镀膜；制作第13层Ti层，以1A/S的镀率进行Ti层镀膜。3.根据权利要求1所述的倒装电极的制作方法，其特征在于，具体包括步骤，制作第1层Cr层，以0.2A/S的镀率对芯片表面进行镀膜；制作第2层AlCu合金层，以5A/S的镀率进行镀膜；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，以2A/S的镀率进行Ti层镀膜，以1A/S的镀率进行Pt层镀膜，形成第3
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8层的TiPt复合层；制作第9层Au层，以10A/S的镀率进行镀膜；蒸镀第10Ti层及第11层Pt层，以2A/S的镀率进行Ti层镀膜，以1A/S的镀率进行Pt层镀膜；制作第12层Au层，以10A/S的镀率进行镀膜；制作第13层Ti层，以2A/S的镀率进行Ti层镀膜。4.根据权利要求1所述的倒装电极的制作方法，其特征在于，具体包括步骤，制作第1层Cr层，镀膜厚度为30A；制作第2层AlCu合金层，镀膜厚度为1500A；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，每层Ti厚度600A，每层Pt厚度500A，形成第3
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8层的TiPt复合层；制作第9层Au层，镀膜厚度为11000A；蒸镀第10Ti层镀膜厚度1500A，蒸镀第11层Pt层，镀膜厚度700A；制作第12层Au层，镀膜厚度1000A；制作第13层Ti层，镀膜厚度500A。5.根据权利要求1所述的倒装电极的制作方法，其特征在于，具体包括步骤，制作第1层Cr层，以0.2A/S的镀率对芯片表面进行镀膜，镀膜厚度为30A；
制作第2层AlCu合金层，以5A/S的镀率进行镀膜，镀膜厚度为1500A；交替蒸镀Ti层和Pt层各3层，其中每层Ti厚度600A，每层Ti先以1A/S的镀率进行300A的镀膜，再以2A/S的镀率进行300A的镀膜，每层Pt厚度500A，形成第3
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【专利技术属性】
技术研发人员：邓高杰，林武，李文浩，陈荣炎，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：