【技术实现步骤摘要】
一种隔离驱动电路的接收电路
[0001]本专利技术涉及新能源汽车SiC高压隔离驱动集成电路设计领域,特别是涉及一种隔离驱动电路的接收电路。
技术介绍
[0002]SiC是新能源汽车第三代半导体的核心功率器件,为了合理的控制SiC器件的开通和关断,检测和保护SiC器件,驱动及保护电路是必不可少的。
[0003]随着第三代半导体SiC在高压高速器件特性方面的发展,在处理高压和大功率方面,SiC的高压低导通阻抗特性,与传统的硅基功率器件相比,优势越来越显著,但是每一个高压SiC器件都需要一个相应的驱动电路来实现从MCU到高压开关SiC的控制,而MCU端的电压只有1.8V
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5V,甚至更低;而SiC端的电压域高达1700V
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3300V,甚至更高,因此需要高压隔离驱动的收发电路来实现信号的传递。
[0004]适用于SiC高压应用环境的隔离驱动收发电路里,传统的收发方式,在接收端极容易受到严重高速共模干扰的影响,干扰接收信号的幅度,根据SiC的开启速度及工作电压不同,受到的高速共模干扰从50V/ns到200V/ns不等,甚至更高。共模干扰越大,信号质量越差,传输的可靠性越低。
技术实现思路
[0005]有鉴于此,本专利技术提供一种适用于隔离驱动电路的接收电路,以解决现有技术中隔离驱动收发电路中接收端受高速共模干扰严重,导致的信号质量差,传输可靠性低的问题。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0007]一种隔离驱动电路的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种隔离驱动电路的接收电路,其特征在于,包括:差分对输入模块(6),用于接收共模输入电压信号,并抑制所述共模输入电压信号的噪声;电流产生和镜像电路(1),用于接收第一使能信号(CMD_P),并在所述第一使能信号(CMD_P)开启时,产生四路电流偏置;共模反馈电路(2)的输入端和输出端连接所述电流产生和镜像电路(1)的两路电流偏置,用于提高环路共模增益,稳定所述差分对输入模块输出的共模信号;预放大电路(3)的两个输入端连接所述两路电流偏置,用于对所述差分对输入模块(6)输出的共模信号进行放大,提高电路的带宽;比较电路(4)的两个输入端分别连接所述预放大电路(3)的两个输出端,所述比较电路(4)用于接收所述预放大电路(3)输出的差模信号,并比较后输出比较结果;低通滤波电路(5),用于接收所述比较电路的比较结果,并进行低通滤波后输出,作为接收信号(OUT)。2.根据权利要求1所述的隔离驱动电路的接收电路,其特征在于,所述差分对输入模块(6)包括:第一晶体管(MN1)、第二晶体管(MN2)、第三晶体管(MN3)、第四晶体管(MN4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2);其中,所述第一晶体管(MN1)的控制端与所述第三晶体管(MN3)的控制端相连;所述第一晶体管(MN1)的第一端与所述四路电流偏置中的第一路电流偏置(S1)相连;所述第一晶体管(MN1)的第二端与所述第三晶体管(MN3)的第二端、所述第三电容(C3)的一端、所述第一电阻(R1)的一端相连;所述第三电容(C3)的另一端接收所述共模输入电压信号的正电压信号(Vin+);所述第一电阻(R1)的另一端接地;所述第三晶体管(MN3)的第一端与所述第三晶体管(MN3)的控制端、所述第一电容(C1)的一端,以及所述四路电流偏置中的第二路电流偏置(S2)相连;所述第一电容(C1)的另一端与所述第二电容(R2)的一端、所述第四电容(C4)的一端,以及所述第四晶体管(MN4)的第二端、所述第二晶体管(MN2)的第二端相连;所述第四电容(C4)的另一端接收所述共模输入电压信号的负电压信号(Vin
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);所述第二电阻(R2)的另一端均接地;所述第二晶体管(MN2)的控制端与所述第四晶体管(MN4)的控制端相连;所述第二晶体管(MN2)的第一端与所述四路电流偏置中的第四路电流偏置(S4)相连;所述第四晶体管(MN4)的第一端与所述第四晶体管(MN4)的控制端、所述第二电容(C2)的一端,以及所述四路电流偏置中的第三路电流偏置(S3)相连;所述第二电容(C2)的另一端用于接收所述共模输入电压信号的正电压信号(Vin+)。3.根据权利要求2所述的隔离驱动电路的接收电路,其特征在于,所述电流产生和镜像电路(1)包括:第五晶体管(MP1)、第六晶体管(MP2)、第七晶体管(MP3)、第一电流源(I1)和第二电流源(I2);其中,所述第五晶体管(MP1)的控制端用于接收第一使能信号(CMD_P)的控制,所述第
五晶体管(MP1)的第二端与所述第六晶体管(MP2)的控制端相连,所述第五晶体管(MP1)的第一端和控制端与电源(VCC)相连;所述第六晶体管(MP2)的控制端与所述第七晶体管(MP3)的控制端相连,所述第六晶体管(MP2)的第二端为所述第一电流偏置(S1),所述第六晶体管(MP2)的第一端与电源(VCC)相连;所述第七晶体管(MP3)的第二端为所述第四电流偏置(S4),所述第七晶体管(MP3)的第一端与电源(VCC)相连;所述第一电流源(I1)的一端与所述电源(VCC)连接,另一端作为所述第二电流偏置(S2);所述第二电流源(I2)的一端与所述电源(VCC)连接,另一端作为所述第三电流偏置(S3)。4.根据权利要求3所述的隔离驱动电路的接收电路,其特征在于,所述共模反馈电路(2)包括:第八晶体管(MP4)、第九晶体管(MP5)、第十晶体管(MP6)、第十一晶体管(MN5)和第十二晶体管(MN6);其中,所述第八晶体管(MP4)的第一端、所述第九晶体管(MP5)的第一端和所述第十晶体管(MP6)的第一端均与所述电源(VCC)相连;所述第八晶体管(MP4)的控制端与所述第四路电流偏置(S4)相连;所述第九晶体管(MP5)的控制端与所述第一路电流偏置(S1)相连;所述第十晶体管(MP6)的控制端与所述第七晶体管(MP3)的控制端相连;所述第八晶体管(MP4)的第二端与所述第九晶体管(MP5)的第二端相连,并与所述第十一晶体管(MN5)的第一端、所述第十一晶体管(MN5)的控制端和所述第十二晶体管(MN6)的控制端相连;所述第十晶体管(MP6)的第二端与所述第十晶体管(MP6)的控制端、所述第十二晶体管(MN6)的第一端相连;所述第十一晶体管(MN5)的第二端和所述第十二晶体管(MN6)的第二端均接地。5.根据权利要求4所述的隔离驱动电路的接收电路,其特征在于,所述预放大电路(3)包括:第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第十三晶体管(MN7)、第十四晶体管(MN8)、第十五晶体管(MN9)和第三电流源(I3);其中,所述第三电阻(R3)和所述第四电阻(R4)的一端均与所述电源(VCC)相连;所述第三电阻(R3)的另一端与所述第一三极管(Q1)的第一端相连,作为负输出端(OUT
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);所述第一三极管(Q1)的控制端用于接收所述共模输入电压信号的正电压信号(Vin+);所述第四电阻(R4)的另一端与所述第二三极管(Q2)的第一端相连,作为正输出端(OUT+);所...
【专利技术属性】
技术研发人员:郝炳贤,王云,郑鲲鲲,王飞,薛静,杨娜,任广辉,严文瑞,马玫娟,
申请(专利权)人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,
类型:发明
国别省市:
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