一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述有机薄膜晶体管结构自下而上依次为衬底、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；或自下而上依次为衬底、铝、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；所述有源层材料为PDQT。本发明专利技术以半导体聚合物材料PDQT为有源层，并用OTS修饰绝缘层，可显著提高有机薄膜晶体管对载流子的传输特性，为制备全溶液的全有机薄膜晶体管器件阵列提供参考。全溶液的全有机薄膜晶体管器件阵列提供参考。全溶液的全有机薄膜晶体管器件阵列提供参考。

【技术实现步骤摘要】
一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于有机薄膜晶体管器件领域，具体涉及一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]有机薄膜晶体管的有源层为共轭聚合物或有机小分子。1986年Tsumura等人报道了基于电化学聚合的聚噻吩有机薄膜晶体管器件，得到的载流子迁移率只有10
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5cm2/Vs,虽然性能比较低，但是拓展了有机半导体材料的潜在应用领域，开启了OTFT的研究热潮。近几年已取得突破性进展，其性能已超过了a
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Si:H TFT的水平。Chan Luo等人报道了有源层材料为聚合物poly[4
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(4,4
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Dihexadecy l
‑
4H
‑
cyclopenta[1,2
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b:5,4
‑
b
′
]dithiophen
‑2‑
yl)
‑
alt
‑
[1,2,5]‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，其结构自下而上依次为衬底、十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；或自下而上依次为衬底、铝层、十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层、有源层和源漏电极。2.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层指在绝缘层表面进行十八烷基三氯硅烷修饰，具体方法如下：在绝缘层上滴定十八烷基三氯硅烷，使其铺满绝缘层表面，静置1～2min，以3000～5000rmp的转速旋涂20～40秒。3.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层均为半导体聚合物材料PDQT，其厚度为40～120nm。4.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层中的绝缘层材料均为SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2、ZrO2、聚酰亚胺、聚乙烯苯酚、聚苯乙烯、聚乙烯醇和苯并环丁烯中的至少一种；未经OTS修饰的绝缘层的厚度为200～300nm。5.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伟，彭俊彪，宁洪龙，姚日晖，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：