【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用错误校正码和数据路径交织的IC晶粒到IC晶粒互连
[0001]相关申请案交叉申请
[0002]本申请要求于2018年9月12日提交的专利技术名称为“使用错误校正码和数据路径交织的IC晶粒到IC晶粒互连(IC Die To IC Die Interconnect Using Error Correcting Code And Data Path Interleaving)”的美国临时专利申请序列第62/730,048号的优先权,该临时专利申请以引入的方式并入本文中,就如同将其内容全部复制在本文一样。
[0003]本申请涉及集成电路(integrated circuit,IC)技术,并且更具体地涉及多芯片模块的IC晶粒之间的通信。
技术介绍
[0004]集成电路(integrated circuit,IC)技术在过去的五十年中已经有了很大的进步。IC现在是普遍的并且存在于电子设备、机器、车辆、电器和许多其它设备中。大型处理IC现在包括数十亿个晶体管,而存储器IC包括数千亿个晶体管。IC上晶体管的密度可以达到每 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多芯片模块,其特征在于,包括:第一集成电路(integrated circuit,IC)晶粒,具有:第一键合焊盘的阵列;多个第一码组电路;以及所述多个第一码组电路与所述第一键合焊盘的阵列之间的第一交织互连,所述第一交织互连包括第一交织图案,所述第一交织图案使得来自不同码组电路的数据耦合到相邻的第一键合焊盘;以及第二IC晶粒,具有:电耦合到所述第一键合焊盘的阵列的第二键合焊盘的阵列;多个第二码组电路;以及所述多个第二码组电路与所述第二键合焊盘的阵列之间的第二交织互连,所述第二交织互连包括第二交织图案,所述第二交织图案使得来自不同码组的数据耦合到相邻的第二键合焊盘。2.根据权利要求1所述的多芯片模块,其特征在于,所述多个第一码组电路中的每个第一码组电路直接对应于相应的第二码组电路。3.根据权利要求1至2中任一项所述的多芯片模块,其特征在于:所述第一交织互连对至少两个不同的第一码组电路的数据进行交织;以及所述第二交织互连对至少两个不同的对应第二码组电路的数据进行交织。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多芯片模块,其特征在于:所述第一键合焊盘的阵列组织成行和列;以及所述第二键合焊盘的阵列组织成行和列。5.根据权利要求1至4中任一项所述的多芯片模块,其特征在于:对于每行第一键合焊盘,相邻的第一键合焊盘对应于不同的第一码组电路;以及对于每列第一键合焊盘,相邻的第一键合焊盘对应于不同的第一码组电路。6.根据权利要求1至5中任一项所述的多芯片模块,其特征在于,所述多个第一码组电路中的每一个用于校正单个第一键合焊盘短路/开路并检测两个第一键合焊盘短路/开路。7.根据权利要求1至6中任一项所述的多芯片模块,其特征在于:所述第一交织互连对四个不同的第一码组电路的数据进行交织;以及所述第二交织互连对四个不同的第二码组电路的数据进行交织,所述四个不同的第二码组电路对应于所述四个不同的第一码组电路。8.根据权利要求1至7中任一项所述的多芯片模块,其特征在于:对于每行第一键合焊盘,所述第一交织互连建立对应于所述四个不同的第一码组电路的四路交织图案;以及对于每列第一键合焊盘,所述第一交织互连建立对应于所述四个不同的第一码组电路的四路交织图案。9.根据权利要求1至8中任一项所述的多芯片模块,其特征在于,所述多个第一码组电路用于校正至少两个第一键合焊盘短路/开路并检测至少三个第一键合焊盘短路/开路。10.一种维护多芯片模块的第一集成电路(integrated circuit,IC)晶粒与第二IC晶粒之间的通信的方法,其特征在于,所述方法包括:
所述第一IC晶粒产生用于传输到所述第二IC晶粒的数据;所述第一IC晶粒对所述数据进行编码以产生多个码组中的第一编码数据;所述第一IC晶粒通过具有第一交织图案的第一交织互连将所述第一编码数据分配到第一键合焊盘的阵列,所述第一交织图案使得所述编码数据耦合到所述第一键合焊盘的阵列,从而使得每个码组的位耦合到不相邻的第一键合焊盘;所述第二IC晶粒通过电耦合到所述第一键合焊盘的阵列的第二键合焊盘的阵列并且通过具有对应于所述第一交织图案的第二交织图案的第二交织互连接收所述编码数据;以及所述第二IC晶粒对所述编码数据进行解码以产生解码数据。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:对所述数据进行编码以产生编码数据包括使用所述第一IC晶粒的多个第一码组电路;以及对...
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