用于高功率半导体器件的射流冲击冷却制造技术

本公开涉及用于高功率半导体器件的射流冲击冷却。本公开提供了一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件，该射流冲击冷却组件包括热交换基部，该热交换基部具有入口室和出口室。入口连接可与该入口室流体连接，而出口连接可与该出口室流体连接。射流板可耦接到该入口室，并且射流基座可形成在该射流板上并具有凸起表面，该凸起表面中形成有射流喷嘴。该凸起表面中形成有射流喷嘴。该凸起表面中形成有射流喷嘴。

【技术实现步骤摘要】
用于高功率半导体器件的射流冲击冷却


[0001]本说明书涉及用于半导体器件的冷却技术。

技术介绍

[0002]高功率半导体器件在操作期间会产生热，这样的热可对器件本身或附近部件有害。例如，过量的热可导致突然器件故障，或者可造成器件寿命缩短。
[0003]为了缓解这种潜在困难，可使用液体冷却系统来冷却高功率半导体器件。例如，可使用泵来将水或其他合适的冷却液体的流引导到高热区域，从而便于热从高热区域传递到冷却液体。

技术实现思路

[0004]根据一个总体方面，用于半导体器件的射流冲击冷却组件包括热交换基部，该热交换基部具有入口室和出口室。入口连接可与入口室流体连接，而出口连接可与出口室流体连接。射流板可耦接到入口室，并且射流基座可形成在射流板上并具有凸起表面，该凸起表面中形成有射流喷嘴。
[0005]根据另一个总体方面，用于半导体器件的射流冲击冷却的射流板组件可包括：射流板，该射流板被配置为被接纳在热交换基部内；以及射流基座，该射流基座形成在射流板上并具有形成在凸起表面内的至少一个射流喷嘴，该凸起表面通过将射流板连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件，包括：热交换基部，所述热交换基部具有入口室和出口室；入口连接，所述入口连接与所述入口室流体连接；出口连接，所述出口连接与所述出口室流体连接；射流板，所述射流板耦接到所述入口室；和射流基座，所述射流基座形成在所述射流板上并具有凸起表面，所述凸起表面中形成有射流喷嘴。2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述热交换基部被配置为接纳半导体模块，所述半导体模块包括至少一个半导体器件，所述至少一个半导体器件的正面背对所述入口室并且背面面向所述射流板。3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述射流基座在所述射流板上具有第一配置，并且另外，其中所述射流板能够在所述热交换基部内与第二射流板互换，其中至少第二基座具有第二配置。4.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，还包括在所述热交换基部内的室分隔件，并且室分隔件在所述热交换基部的第一侧上限定所述入口室以及在所述热交换基部的第二侧上限定所述出口室，所述室分隔件耦接到所述热交换基部并被配置为接纳所述射流板。5.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，还包括在所述热交换基部内的室分隔件，并且室分隔件在所述热交换基部的第一侧上限定所述入口室以及在所述热交换基部的第二侧上限定所述出口室，所述室分隔件耦接到所述射流板并被配置为与所述射流板一起被接纳在所述热交换基部内。6.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述射流基座能够从所述射流板移除并能够与第二射流基座互换，所述第二射流基座具有大小与所述射流喷嘴不同的第二射流喷嘴。7.一种用于半导体器件的射流冲击...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：