【技术实现步骤摘要】
控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法
[0001]本申请要求于2019年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0126049号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
[0002]在此描述的专利技术构思的实施例涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。
技术介绍
[0003]半导体存储器装置被划分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在装置被供电时保持它的数据。易失性存储器装置的示例包括：静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器装置即使在没电的情况下也保持数据。非易失性存储器装置的示例包括：闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电式RAM(FRAM)。
[0004]闪存装置正在被广泛地用作高容量存储介质。闪存装置的物理特性或各种环境因素可导致闪存装置中的数据错误。数据错误可通过单独的纠错手段来纠正。然而，可能出...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于选择的第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一参数包括：第一存储器区域的操作计数、编程/擦除循环的数量、数据保存时间和温度中的至少一个，并且其中，第二参数包括在第一存储器区域发生的错误位的数量和第一存储器区域的单元计数值中的至少一个。3.根据权利要求1所述的方法，其中，初始驱动时段是从非易失性存储器装置的正常操作开始时的时间开始的预定时段。4.根据权利要求3所述的方法，其中，第一错误趋势指示在初始驱动时段之后第一参数的增大与第二参数的增大之间的关系。5.根据权利要求4所述的方法，其中，基于第一错误趋势来决定第一参数的第一值和第一参数的第二值，第一参数的第一值与第二参数是第一参考值时对应，第一参数的第二值与第二参数是第二参考值时对应，并且其中，第一可靠性间隔基于第一参数的第一值与第一参数的第二值之间的差来确定。6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一可靠性操作在没有来自外部主机装置的请求的情况下执行。7.根据权利要求1至权利要求6中任意一项所述的方法，其中，执行第一可靠性操作的步骤包括：累积第一存储器区域的第一操作计数；当第一操作计数达到第一可靠性间隔时检测第一存储器区域的错误位；以及当错误位的数量是参考值或更大时，对存储在第一存储器区域中的数据的错误进行纠正并且将纠错后的数据从第一存储器区域移动到另一存储区域。8.根据权利要求1所述的方法，其中，第一存储器区域是存储器块，并且存储器块是非易失性存储器装置的擦除单位。9.根据权利要求1所述的方法，其中，多个函数模型基于从与非易失性存储器装置不同的多个样本芯片收集的样本参数提前生成。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第二存储器区域的劣化因素的第三参数和指示在第二存储器区域发生的劣化的程度的第四参数；基于第三参数和第四参数选择多个函数模型中的第二函数模型，并且基于第二函数模型来预测第二存储器区域的第二错误趋势；基于第二错误趋势来确定第二可靠性间隔；以及基于第二可靠性间隔对非易失性存储器装置的第二存储器区域执行第二可靠性操作。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
当第一函数模型和第二函数模型相同时、当第一错误趋势和第二错误趋势相同时、或者当第一可靠性间隔和第二可靠性间隔相同时，将第一存储器区域和第二存储器区域作为一个组进行管理。12.一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：在初始驱动时段，获得指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示第一存储器区域的劣化的程度的第二参数；通过基于训练模型执行机器学习来推断第一存储器区域的第一错误趋势，训练模型基于非易失性存储器装置的错误趋势、第一参数...
【专利技术属性】
技术研发人员：金娟智，徐荣德，金燦河，卢羌镐，吴玄教，李熙元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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