一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用技术

技术编号:28051537 阅读:35 留言:0更新日期:2021-04-14 13:13
该发明专利技术以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗(CLB)为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂,在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中,采用循环伏安(CV)法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后,使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜,即CLB分子印迹电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明,在5mol

【技术实现步骤摘要】
一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及电化学分析检测
,具体涉及盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰玻碳电极的制备和应用。

技术介绍

[0002]盐酸克伦特罗(Clenbuterol hydrochloride,CLB),化学名称为4

氨基

α

(叔丁胺甲基)3,5

二氯苯甲醇盐酸盐。曾做为药物应用于支气管哮喘和保胎等,但因其毒副作用较大已经被禁止使用。80年代初期意外发现它具有促进瘦肉生长、减少脂肪的作用,而很快被应用于养殖业中。2002年国家有关部门发布《禁止在饲料和动物饮用水中使用的药物品种目录》已经将其列为禁用药品。
[0003]目前,测定盐酸克伦特罗的方法有分光光度法、荧光光谱法、化学发光法、毛细管电泳法、高效液相色谱法、电化学法等。其中电化学方法以其操作简单,快速,成本低廉的优点被应用于盐酸克伦特罗的测定。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种检测盐酸克伦特罗新方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极在测定盐酸克仑特罗上的应用,其特征在于:所述应用方法:盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,铂丝电极为辅助电极,其中,工作电极预先侵泡在含有样品的溶液中,然后再将上述三个电极置于含有 K3[Fe( CN)6]的溶液中通过D差分脉冲伏安法(DPV)法检测盐酸克仑特罗的含量,所述盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极的制备方法包括如下步骤:

盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰膜的制备:将打磨、抛光、清洗后的玻碳电极(GCE)置于含2.5~3.0 mmol

L

1 邻苯二胺(OPD)与1~1.2 mmol

L

1 CLB的乙酸...

【专利技术属性】
技术研发人员:申贵隽杜宇丁利葳季杨杨
申请(专利权)人:大连诚泽检测有限公司
类型:发明
国别省市:

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