该发明专利技术以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗（CLB）为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂，在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中，采用循环伏安（CV）法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后，使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜，即CLB分子印迹电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明，在5mol
【技术实现步骤摘要】
一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及电化学分析检测
，具体涉及盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰玻碳电极的制备和应用。
技术介绍
[0002]盐酸克伦特罗(Clenbuterol hydrochloride，CLB)，化学名称为4
‑
氨基
‑
α
‑
(叔丁胺甲基)3,5
‑
二氯苯甲醇盐酸盐。曾做为药物应用于支气管哮喘和保胎等，但因其毒副作用较大已经被禁止使用。80年代初期意外发现它具有促进瘦肉生长、减少脂肪的作用，而很快被应用于养殖业中。2002年国家有关部门发布《禁止在饲料和动物饮用水中使用的药物品种目录》已经将其列为禁用药品。
[0003]目前，测定盐酸克伦特罗的方法有分光光度法、荧光光谱法、化学发光法、毛细管电泳法、高效液相色谱法、电化学法等。其中电化学方法以其操作简单，快速，成本低廉的优点被应用于盐酸克伦特罗的测定。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种检测盐酸克伦特罗新方法，该方法选择性高、快速、灵敏。
[0005]本专利技术提供了一种盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰玻碳电极的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
①
玻碳电极的预处理：将GCE抛光、超声清洗后置于5 mmol
·
L
‑1的K3[Fe(CN)6]溶液中循环伏安(CV)扫描。重复上述预处理过程，直至获得该探针响应峰电流较高且可逆性能良好的CV曲线为止。
[0006]②
盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰玻碳电极的制备：将步骤
①
所得到的GCE置于含2.5～3.0 mmol
•
L
‑
1 邻苯二胺(OPD)与1～1.2 mmol
•
L
‑
1 CLB的乙酸缓冲溶液(pH为5.3～5.5)中，采用CV法(设置电位范围为0～1V，扫速为50mV
•
s
‑1)，循环扫描20圈，既可在GCE表面发生电聚合而成聚邻苯二胺(POPD)膜。
[0007]③
盐酸克伦特罗分子印迹模板的洗脱：将步骤
②
所得到的电极(CLB/POPD/GCE)浸入体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液中浸泡20min，用以洗脱CLB模板。
[0008]本专利技术的另一目的是提供上述本专利技术所述的方法制备得到的盐酸克伦特罗分子印迹修饰电极。
[0009]本专利技术所述应用方法优选为盐酸克伦特罗分子印迹电极(MIP/GCE)作为工作电极、银/氯化银电极作为参比电极、铂丝电极作为辅助电极，将上述三个电极置于含有5mmol
•
L
‑
1 K3[Fe(CN)6]溶液的待测液中用D差分脉冲伏安法（DPV）方法检测盐酸克伦特罗。
[0010]本专利技术的有益效果为：
①
与现有玻碳电极相比，该修饰电极用于盐酸克伦特罗的测定具有明显的选择性。
[0011]②
本专利技术所述的印迹有盐酸克伦特罗的邻苯二胺聚合膜修饰玻碳电极应用于实际检测盐酸克伦特罗，具有快速、灵敏、准确、稳定等特点。
[0012]③
现有检测盐酸克伦特罗的方法为高效液相色谱法，该方法仪器设备昂贵、操作繁琐、检测费用高，并且产生的流动相污染环境。
附图说明
[0013]本专利技术附图6幅，附图1 为分子印迹聚合过程曲线。其中1～20：表示电聚合过程中扫描第1至20圈时的CV曲线（从上至下）。
[0014]附图2为 CLB印迹膜洗脱前后的CV曲线。其中曲线1 为模板洗脱前，CLB/POPD/GCE为工作电极时的CV曲线;曲线 2为模板洗脱后，CLB分子印迹玻碳电极（MIP/GCE）为工作电极的CV曲线。
[0015]附图3聚合底液pH对峰电流的影响。图中显示出pH值在5.3～5.5范围内所制备的修饰电极响应值较好。pH值为5.4时最高。
[0016]附图4不同浓度CLB的DPV曲线。图中显示在含有5mmol
•
L
‑
1 K3[Fe(CN)6]溶液的下列浓度的CLB标准溶液中，检测到的 K3[Fe(CN)6]线性响应的DPV曲线。随着CLB浓度的逐渐增大K3[Fe(CN)6]产生的响应电流逐渐降低。
[0017]其中，c（1～8）： 2.02
×
10
‑8,4.16
×
10
‑8,7.98
×
10
‑8,.12
×
10
‑7,4.21
×
10
‑7,8.14
×
10
‑7,2.19
×
10
‑7,3.95
×
10
‑
6 mol
•
L
‑1。
[0018]附图5为CLB在该印迹电极上响应的标准曲线。
[0019]附图6为选择性测定曲线。以硫酸特布他林(TES)、硫酸沙丁胺醇(SAL)、邻苯二酚作为干扰物质，按前述方法检测该印迹电极对结构相识的几种待测物的电化学响应特性。其中曲线1为CLB; 2为TES; 3为SAL; 4为邻苯二酚。
具体实施方式
[0020]实例1一种CLB分子印迹修饰电极制备方法，所述制备方法包括步骤如下：
①
玻碳电极的预处理：将GCE在麂皮上依次用1.0、0.3和0.05μm的Al2O3粉末抛光，然后依次置于二次蒸馏去离子水、HNO3(浓硝酸与水的体积比为1:1)、无水乙醇和二次蒸馏去离子水中各水超声清洗5 min。然后将清洗干净的电极置于5 mmol
·
L
‑1的K3[Fe(CN)6]溶液中循环伏安(CV)扫描。重复上述预处理过程，直至获得该探针响应峰电流较高且可逆性能良好的CV曲线为止。取出该修饰电极后用二次蒸馏去离子水冲洗，并保存在二次馏去离子水中备用，得到预处理的玻碳电极；
②ꢀ
CLB分子印迹修饰电极的制备：将步骤
①
所得到的GCE置于含2.5～3.0 mmol
•
L
‑
1 邻苯二胺(OPD)与1～1.2 mmol
•
L
‑
1 CLB的乙酸缓冲溶液(pH为5.3～5.5，见图3)中，采用CV法(设置电位范围为0～1V，扫速
为50mV
•
s
‑1)，循环扫描20圈，既可在GCE表面发生电聚合而成聚邻苯二胺(POPD)膜。见图1。
[0021]③
盐酸克伦特罗分子印迹模板的洗脱：将步骤
②
所得到的电极(CLB/POPD/GCE)浸入体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液中浸泡20min，用以洗脱CLB模板。见图2。洗脱模板后，用二次本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极在测定盐酸克仑特罗上的应用，其特征在于：所述应用方法：盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，铂丝电极为辅助电极，其中，工作电极预先侵泡在含有样品的溶液中，然后再将上述三个电极置于含有 K3［Fe( CN)6］的溶液中通过D差分脉冲伏安法（DPV）法检测盐酸克仑特罗的含量，所述盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极的制备方法包括如下步骤：
①
盐酸克伦特罗分子印迹聚苯二胺修饰膜的制备：将打磨、抛光、清洗后的玻碳电极（GCE）置于含2.5～3.0 mmol
•
L
‑
1 邻苯二胺(OPD)与1～1.2 mmol
•
L
‑
1 CLB的乙酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：申贵隽，杜宇，丁利葳，季杨杨，
申请(专利权)人：大连诚泽检测有限公司，
类型：发明
国别省市：
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