【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于量子微波电路的低温频散-电阻混合衰减器的封装和热化
本专利技术一般涉及用于可与超导量子比特一起在量子计算中使用的微波频率衰减器壳体的设备、壳体设计方法和构造系统。更具体地，本专利技术涉及用于量子微波电路的低温频散-电阻混合衰减器的封装和热化的设备、方法和系统。
技术介绍
在下文中，除非在使用时明确区分，否则短语的词中的“Q”前缀指示对该词或短语在量子计算上下文中的引用。分子和亚原子粒子遵循量子力学的定律，量子力学是探索物理世界如何在最基本的水平上工作的物理分支。在这个水平，粒子以奇怪的方式运动，同时呈现多个状态，并且与非常远的其他粒子相互作用。量子计算利用这些量子现象来处理信息。我们现在使用的计算机被称为经典计算机(这里也称为“传统”计算机或传统节点，或“CN”)。传统的计算机使用传统的处理器，该处理器使用半导体材料和技术、半导体存储器以及磁或固态存储设备来制造，这被称为冯诺依曼架构。特别地，传统计算机中的处理器是二进制处理器，即，对以1和0表示的二进制数据进行操作。量子处理器(q处理器)...
【技术保护点】
1.一种混合微波衰减器，包括：/n具有两个端口的电路，所述电路包括：/n电阻组件，其被配置为衰减输入信号(被发送信号)中的多个频率；以及/n频散组件，其被配置为衰减频率范围内的第二多个频率，其中，所述电阻组件和所述频散组件被布置成在所述电路的所述两个端口之间相对于彼此的串联配置；以及/n壳体，所述壳体包括：/n可封闭结构，所述电路位于所述可封闭结构中，所述结构由展现至少阈值水平的热导率的材料形成，其中，所述阈值水平的热导率是在量子计算电路工作的低温温度范围达到的；以及/n一对微波连接器，所述一对连接器热耦接到所述壳体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 US 16/114,793;20180828 US 16/114,8901.一种混合微波衰减器，包括：
具有两个端口的电路，所述电路包括：
电阻组件，其被配置为衰减输入信号(被发送信号)中的多个频率；以及
频散组件，其被配置为衰减频率范围内的第二多个频率，其中，所述电阻组件和所述频散组件被布置成在所述电路的所述两个端口之间相对于彼此的串联配置；以及
壳体，所述壳体包括：
可封闭结构，所述电路位于所述可封闭结构中，所述结构由展现至少阈值水平的热导率的材料形成，其中，所述阈值水平的热导率是在量子计算电路工作的低温温度范围达到的；以及
一对微波连接器，所述一对连接器热耦接到所述壳体。
2.根据权利要求1所述的混合微波衰减器，其中，所述混合微波衰减器被配置成在冷藏级的温度范围中工作，其中，所述频散组件还包括：
由如下材料形成的电感元件：所述材料展现在所述温度范围中工作时超过预定热导率阈值的热导率，以及在所述温度范围中工作时大于阈值电导率的电导率。
3.根据权利要求2所述的混合微波衰减器，其中，所述温度范围由300开氏温度(K)和2K界定。
4.根据权利要求2所述的混合微波衰减器，其中，所述温度范围由2K和0.000001K界定。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述混合微波衰减器被配置成在冷藏级的温度范围中工作，其中，所述频散组件还包括：
包括如下材料的电介质的电容元件：所述材料展现在所述温度范围中工作时超过所要求的热导率阈值的热导率，以及
一对板，所述一对板在所述温度范围中工作时的电导率大于阈值电导率。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述混合微波衰减器被配置成在冷藏级的温度范围中工作，其中，所述频散组件还包括：
由如下材料形成的衬底：所述材料展现在所述温度范围中工作时大于阈值热导率的热导率。
7.根据前述权利要求中任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述一对连接器中的每个连接器具有相同的性别。
8.根据前述权利要求中任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述一对连接器中的每个连接器被耦接到所述电路的所述两个端口中的一个端口。
9.根据前述权利要求中任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述混合微波衰减器被配置成在冷藏级的温度范围中工作，其中，所述一对连接器由如下材料形成：所述材料展现在所述温度范围中工作时大于阈值热导率的热导率。
10.根据前述权利要求中任一项所述的混合微波衰减器，其中，所述混合微波衰减器被配置成在冷藏级的温度范围中工作，其中，所述可封闭结构由如下材料形成：所述材料展现在所述温度范围中工作时大于阈值热导率的热导率。
11.一种方法，包括：
通过组装具有两个端口的电路来形成混合微波衰减器，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·古曼，B·阿卜多，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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