【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装膜
相关申请的交叉引用本申请要求基于于2018年9月3日提交的韩国专利申请第10-2018-0104550号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及封装膜、包括其的有机电子器件和使用其制造有机电子器件的方法。
技术介绍
有机电子器件(OED)意指包括利用空穴和电子产生电荷的交流电的有机材料层的器件,并且其实例可以包括光伏器件、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。以上有机电子器件中的有机发光二极管(OLED)具有比现有光源更小的功耗和更快的响应速度,并且有利于使显示设备或照明设备变薄。此外,OLED具有空间可用性,并因此有望应用于各种领域,包括各种便携式装置、监视器、笔记本电脑和TV。在OLED的商业化和应用扩展中,最重要的问题是耐久性问题。OLED中包含的有机材料和金属电极等可以容易地被外部因素例如水分氧化,并且如果在驱动OLED面板时产生的热无法顺利地被释放,则元件由于温度升高而劣化成为问题并且在高温运行时面板翘曲成为问题。因此,提出了能够有效地阻挡来自外 ...
【技术保护点】
1.一种有机电子元件封装膜,包括封装有机电子元件的封装层和形成在所述封装层上的至少两个层或更多个层的金属层,其中根据ISO22007-2测量的水平方向热阻为800K/W或更小。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180903 KR 10-2018-01045501.一种有机电子元件封装膜,包括封装有机电子元件的封装层和形成在所述封装层上的至少两个层或更多个层的金属层,其中根据ISO22007-2测量的水平方向热阻为800K/W或更小。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述金属层包括形成在所述封装层上的第一层和形成在所述第一层上并且具有与所述第一层不同的组分的第二层。
3.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述金属层的热导率为50W/m·K至800W/m·K。
4.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述金属层的线性膨胀系数为20ppm/℃或更小。
5.根据权利要求2所述的有机电子元件封装膜,其中所述第一层与所述第二层的厚度比在0.85至4.3的范围内。
6.根据权利要求2所述的有机电子元件封装膜,其中所述第一层的厚度在2μm至3,500μm的范围内。
7.根据权利要求2所述的有机电子元件封装膜,其中所述第二层的厚度在10μm至2,500μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述两个层或更多个层的金属层通过压敏粘合剂或粘合剂附接。
9.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述两个层或更多个层的金属层彼此直接附接。
10.根据权利要求1所述的有机电子元件封装膜,其中所述封装层由...
【专利技术属性】
技术研发人员:文圣男,李承民,金恩贞,睦英凤,梁世雨,崔峻源,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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