具有防挠曲层的半导体器件制造技术

半导体器件，具有基板，其中，沉积有压缩层和拉伸层两者。压缩层和拉伸层覆盖器件的单个主要表面(面)。拉伸层可能直接地沉积于器件的基板上，其中压缩层覆盖拉伸层。过渡材料可能位于拉伸层和压缩层之间。该过渡材料可能为复合物，该复合物包括拉伸层和压缩层的一者或两者的组分。在一个具体实施例中，拉伸材料可能为氮化硅，压缩层可能为氧化硅，并且过渡材料可能为氮氧化硅，该氮氧化硅可能通过使拉伸氮化硅层的表面氧化而形成。通过将拉伸层和压缩层两者沉积于器件的相同面上，相对的主要表面(面)免于处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有防挠曲层的半导体器件
本专利技术属于半导体器件领域，该半导体器件具有机构以防止挠曲。
技术介绍
在半导体器件中，期望的是防止器件翘曲。防止翘曲的一种方式是将材料沉积于半导体器件的相对的两个侧(主要表面)上。例如，将压缩应力材料沉积于正和背主要表面两者上，以抵消应力，从而防止翘曲。然而，将材料沉积于两个主要表面上并非始终是期望的或是切合实际的。
技术实现思路
半导体器件，在基板的表面上具有中和挠曲的双层——拉伸层和压缩层。半导体器件，在基板的表面上具有氮化硅拉伸层，其中氧化硅压缩层处于该氮化硅层的氧化表面上。根据本专利技术的一个方面，半导体器件包括：基板；拉伸层，该拉伸层覆盖该基板的主要表面；和压缩层，该压缩层覆盖该主要表面。拉伸层和压缩层均将力施加于基板上，从而防止基板翘曲。根据本
技术实现思路
的任何段落的一个实施例，该器件包括位于拉伸层和压缩层之间的中间层。根据本
技术实现思路
的任何段落的一个实施例，中间层在拉伸层和压缩层之间传递应力。根据本
技术实现思路
的任何段落的一个实施例，中间层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n基板；/n拉伸层，所述拉伸层覆盖所述基板的主要表面；和/n压缩层，所述压缩层覆盖所述主要表面；/n其中所述拉伸层和所述压缩层均将力施加于所述基板上，从而防止所述基板翘曲。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180618 US 16/010,5711.一种半导体器件，包括：
基板；
拉伸层，所述拉伸层覆盖所述基板的主要表面；和
压缩层，所述压缩层覆盖所述主要表面；
其中所述拉伸层和所述压缩层均将力施加于所述基板上，从而防止所述基板翘曲。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，
还包括位于所述拉伸层和所述压缩层之间的中间层；
其中所述中间层在所述拉伸层和所述压缩层之间传递应力。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述中间层相比于所述压缩层和所述拉伸层为较薄的。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述中间层为所述压缩层的氧化表面或所述拉伸层的氧化表面。


5.根据权利要求1或权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中所述拉伸层相比于所述压缩层更靠近于所述基板。


6.根据权利要求1或权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，
其中所述拉伸层为氮化硅层；并且
其中所述压缩层为氧化硅层。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，
还包括位于所述拉伸层和所述压缩层之间的中间层；
其中所述中间层为氮氧化硅层。


8.根据权利要求1或权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其中所述拉伸层的拉伸力抵消所述压缩层的压缩力。


9.一种制备半导体器件的方法，所述方法包括：
沉积拉伸层，所述拉伸层覆盖所述器件的基板的主要表面；和
沉积压缩层，所述压缩层覆盖所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·朗登，A·P·克拉克，G·格拉马，
申请(专利权)人：雷神公司，
类型：发明
国别省市：美国;US