RF离子阱离子加载方法技术

一种在质谱仪中处理离子的方法包括：将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，以使所述离子的至少一部分碎裂，其中，碰撞室被配置为约束具有大于所选定阈值的m/z比的离子(即，高m/z离子)。离子被从碰撞室释放并被引入下游分析仪离子阱中，以径向约束高m/z离子。碰撞室和分析仪离子阱被配置为约束具有低于所选定阈值的m/z比的离子(即，低m/z离子)。离子被引入碰撞室中并经历碎裂。碎片离子被从碰撞室释放并被引入分析仪离子阱中，因此为分析仪离子阱加载高m/z离子和低m/z离子二者。离子被从分析仪离子阱释放并由检测器进行检测。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RF离子阱离子加载方法相关申请本申请要求于2018年9月7日提交的名称为“RF离子阱离子加载方法”的美国临时申请No.62/728,642的优先权，该美国临时申请通过引用整体并入本文。
本教导总体上涉及用于在质谱仪中将具有一定大范围的m/z比的离子高效转移到离子阱(例如，线性离子阱(LIT))中的方法和系统。
技术介绍
质谱法(MS)是具有定性应用和定量应用二者的用于测量分子的质荷比的分析技术。MS对于识别未知化合物、通过观察特定化合物的碎裂确定其结构、以及量化样本中的特定化合物的量可以是有用的。质谱仪检测作为离子的化学实体，使得在样本处理期间必须发生分析物到带电离子的转换。在串联质谱法(MS/MS)中，可以在质谱法的第一阶段中对从离子源产生的离子进行质量选择(前驱物离子)，并且可以在第二阶段中对前驱物离子进行碎裂以产生产物离子。然后，可以检测并分析产物离子。在一些情况下，可以将由上游的质量过滤器选择的前驱物离子引入RF离子阱中，该RF离子阱用作前驱物离子在其中经历碎裂的碰撞室。然后，碎裂的离子可以被下游LIT接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在质谱仪中处理离子的方法，包括：/n将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，从而使所述离子的至少一部分碎裂成多种离子碎片，所述碰撞室包括多个杆，所述多个杆中的至少一个能被施加RF电压以径向约束所述离子碎片的至少一部分，/n选择施加到所述碰撞室的所述RF电压，从而有利于径向约束具有大于阈值的m/z比的离子(“高m/z离子”)，/n选择施加到下游分析仪离子阱的至少一个杆的至少一个RF电压，从而有利于径向约束所述高m/z离子，/n将所述离子从所述碰撞室释放到所述下游分析仪离子阱中，/n向所述分析仪离子阱施加压力脉冲，从而加速所述分析仪离子阱从所述碰撞室接收的所述离子的冷却，/n随后，将施加到所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180907 US 62/728,6421.一种在质谱仪中处理离子的方法，包括：
将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，从而使所述离子的至少一部分碎裂成多种离子碎片，所述碰撞室包括多个杆，所述多个杆中的至少一个能被施加RF电压以径向约束所述离子碎片的至少一部分，
选择施加到所述碰撞室的所述RF电压，从而有利于径向约束具有大于阈值的m/z比的离子(“高m/z离子”)，
选择施加到下游分析仪离子阱的至少一个杆的至少一个RF电压，从而有利于径向约束所述高m/z离子，
将所述离子从所述碰撞室释放到所述下游分析仪离子阱中，
向所述分析仪离子阱施加压力脉冲，从而加速所述分析仪离子阱从所述碰撞室接收的所述离子的冷却，
随后，将施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱的所述RF电压降低至适于径向约束具有低于所述阈值的m/z比的离子(“低m/z离子”)的水平，
将多个前驱物离子引入所述碰撞室中，以产生多种离子碎片，
将所述离子从所述碰撞室引入所述分析仪离子阱中，以及
使用质量选择性轴向喷射从所述分析仪离子阱释放所述离子。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述碎片离子引入所述分析仪离子阱中的同时，将所述压力脉冲施加到所述下游分析仪离子阱。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于将所述离子引入所述分析仪离子阱中，延迟将所述压力脉冲施加到所述分析仪离子阱。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述离子引入所述分析仪离子阱之前开始将所述压力脉冲施加到所述分析仪离子阱。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述分析仪离子阱释放的离子包括所述碎片离子和所述分析仪离子阱中包含的剩余前驱物离子的至少一部分。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用离子源产生离子，以及
使用过滤器从产生的所述离子选择具有所期望的m/z比的所述前驱物离子，以供引入所述碰撞室中。


7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述过滤器包括RF/DC过滤器。


8.根据权利要求1所述的方法，还向所述碰撞室施加轴向场，以在所述碰撞室中提供所述离子的轴向约束。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱以径向约束所述高m/z离子碎片的所述RF电压被选定为产生大于约0.16的Mathieu参数(q)。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱以径向约束所述低m/z离子碎片的所述RF电压被选定为产生小于约0.906且大于约0.05的Mathieu参数(q)。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体压力脉冲使所述分析仪离子阱的内部压强增加至少约100％且持续至少约2毫秒。


12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子碎片具有等于或大于约50的m/z比。


13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子碎片具有等于或小于约1000的m/z比。


14.一种质谱仪，包括：
碰撞室，所述碰撞室用于接收多种前驱物离子并使其碎裂以产生多种离子碎片，所述碰撞室包括多个杆，所述多个杆中的至少一个能被施加RF电压以产生用于将所述离子碎片径向约束在所述碰撞室内的电磁场，
下游分析仪离子阱，所述下游分析仪离子阱用于接收在所述碰撞室中产生的所述离子碎片的至少一部分，
至少一个RF电压源，所述至少一个RF电压源用于向所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱施加RF电压，以径向约束其中包含的离子，
与所述下游分析仪离子阱连通的脉冲气体源，
与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·古纳，
申请(专利权)人：DH科技发展私人贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG