【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带保护膜的热敏电阻及其制造方法
本专利技术涉及一种带保护膜的热敏电阻及其制造方法。本申请主张基于2018年8月23日在日本申请的专利申请2018-156647号、2019年8月5日在日本申请的专利申请2019-143817号及2019年8月5日在日本申请的专利申请2019-143890号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
热敏电阻具有电阻根据温度而变化的特性，适用于各种电子设备的温度补偿或温度传感器等。尤其，最近广泛使用安装于电路基板的芯片热敏电阻。这种热敏电阻具有热敏电阻基体(基底)及形成于该热敏电阻基体的两端的一对电极部。热敏电阻基体例如由多种金属氧化物等构成，具有容易受酸或碱的影响并且容易还原的性质。若热敏电阻基体的组成发生变化，则作为热敏电阻的特性可能会发生变化。为了防止由于与酸或碱等的接触而引起的热敏电阻基体的组成变化，例如在专利文献1、2中公开了使保护膜在热敏电阻基体的表面成膜的技术。对于这种保护膜来说，为了抑制热敏电阻基体的劣化，要求对电镀液的耐性、耐环境性、绝缘性等。作为保护膜的...
【技术保护点】
1.一种带保护膜的热敏电阻，其特征在于，具有热敏电阻基体、由膜厚在50nm以上且1000nm以下的范围的SiO
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180823 JP 2018-156647;20190805 JP 2019-143817;201.一种带保护膜的热敏电阻，其特征在于，具有热敏电阻基体、由膜厚在50nm以上且1000nm以下的范围的SiO2膜构成且与所述热敏电阻基体相接而形成的保护膜及电极部，
在包括所述热敏电阻基体与所述保护膜的界面的区域，不均匀地分布有碱金属。
2.根据权利要求1所述的带保护膜的热敏电阻，其特征在于，
碱金属的存在比是使用能量色散型X射线光谱分析装置通过与所述界面垂直的方向的线性分析获得的、包括所述界面的区域中的所述碱金属的检测量除以所有金属的检测量而得的，所述碱金属的存在比的最大值为0.03以上，并且将...
【专利技术属性】
技术研发人员：米泽岳洋，足立美纪，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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