使用纳米结构材料的传输线及其制造方法技术

公开了使用纳米结构材料制造传输线的方法和制造该传输线的方法。使用纳米结构材料的所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用纳米结构材料的传输线及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月31日提交的韩国专利申请No.2018-0103892的优先权和权益，其公开内容通过整体引用合并于此。
本专利技术涉及一种传输线，更具体地，涉及一种使用通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料的传输线以及制造该传输线的方法。
技术介绍
为了以小损耗传输或处理超高频信号，低损耗和高性能传输线是必要的。通常，传输线处的损耗大致分为由金属引起的导体损耗和由电介质引起的介电损耗。特别地，当电介质的介电常数较高时，由电介质引起的损耗增加，并且当电阻较大时，功率损耗增加。因此，为了制造用于传输超高频信号的低损耗和高性能传输线，必须使用具有低介电常数和小损耗正切值的材料。特别地，为了有效地发送在5G移动通信网络中使用的具有3.5GHz频带到28GHz频带中的频率的信号，甚至在超高频带中具有低损耗的传输线的重要性也越来越增加。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种使用纳米结构材料的传输线，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。本专利技术还旨在提供一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。根据本专利技术的一个方面，提供了一种使用纳米结构材料的传输线。所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。所述传输线可进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。所述传输线可以进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。所述传输线可进一步包括：第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以由聚酰亚胺(PI)形成，导电层可以由铜(Cu)形成。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种使用纳米结构材料制造传输线的方法。该方法包括：在第一绝缘层上形成第一导电层；通过蚀刻所述第一导电层来形成发送和接收信号的第一图案；在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。形成所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号传输线。所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层。所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；在所述第三纳米氟隆层上定位第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二导电层；以及通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案。所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；在第二绝缘层上形成第二导电层；通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案；以及在所述第三纳米氟隆层上定位所述第二绝缘层。形成所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成信号传输线和接地线。所述方法可进一步包括：在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上定位第四纳米氟隆层并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及将第三接地层结合到所述第四纳米氟隆层。可通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其它目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，其中：图1示出了一种通过静电纺丝制造纳米氟隆的设备的示例；图2示出了带状线传输线的示例；图3是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第一实施例的横截面视图；图4是示出根据本专利技术的与第一纳米氟隆层的粘合的传输线的横截面视图；图5是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第二实施例的横截面视图；图6是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第三实施例的横截面视图；图7是示出根据本专利技术的与第二纳米氟隆层610的粘合的传输线的横截面视图；图8是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第四实施例的横截面视图；图9是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第五实施例的横截面视图；图10是示出根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线的第六实施例的横截面视图；图11示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例；图12示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第二实施例；图13示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第三实施例；图14示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第四实施例；图15a、图15b和图15c示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第五实施例；图16a、图16b、图16c、图16d和图16e示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第六实施例；图17a和图17b示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第七实施例；图18a、图18b、18c和图18d示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第八实施例；以及图19a和图19b示出了根据本专利技术的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第九实施例。具体实施方式在下文中，将参考所附附图详细描述本专利技术的示例性实施方式。由于说明书中公开的实施例和附图中示出的部件仅仅是本专利技术的示例性实施例，并且不表示本专利技术的技术概念的整体，应当理解，在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用纳米结构材料的传输线，该传输线包括：/n第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；/n第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；/n第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及/n第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方，/n其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 KR 10-2018-01038921.一种使用纳米结构材料的传输线，该传输线包括：
第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；
第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；
第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及
第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方，
其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。


2.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。


3.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。


4.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；
第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；
第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；
第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及
第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。


5.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二图案包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。


6.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第三纳米氟隆层的顶部而形成的第二涂覆层。


7.根据权利要求4所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。


8.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。


9.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第一纳米氟隆层的顶部而形成的第一涂覆层。


10.根据权利要求1、3、4和7中任一项所述的传输线，其中，通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。


11.根据权利要求1至9中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳南，姜敬逸，
申请(专利权)人：信思优有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR