过电流保护组件制造技术

本发明专利技术涉及一种过电流保护组件，包含：两个金属箔片引脚；以及二个以上PTC材料芯片，其重叠设置于所述的两个金属箔片引脚之间，其中，各PTC材料芯片具有不同的工作电流且并联连接，可以是内置式或并排排布结构，所述的内置式至少有一个PTC材料芯片有内孔，各PTC材料芯片尺寸从外至内依次减小，并使其中一个PTC材料芯片的外径尺寸小于另一PTC材料芯片的内孔尺寸，形成内置式结构。与目前的常规产品相比，产品尺寸并无差异，可以满足目前电子产品需要的较大的工作电流和较低的保护温度。且该发明专利技术适用于目前市场对PTC的要求。以适用目前市场对PTC保护器件的要求。

【技术实现步骤摘要】
过电流保护组件
本专利技术涉及一种过电流保护元件，具体涉及一种具有多层PTC导电复合材料的过电流保护组件，以满足目前电子产品所需的较大的工作电流和较低的保护温度。
技术介绍
现有的PTC组件阻值对温度变化的反应相当敏锐，在正常状态下，电路中的电流相对较小，PTC处于正常的低阻状态，而当电路发生故障引起的大电流通过此自复性保险丝时，其温度会突然升高到“关断”温度，导致其电阻值变得很大，这样就使电路处于一种近似“开路”的状态，从而保护了电路中其他元件。而当故障排除后，热敏电阻器的温度下降，其电阻值又可恢复到低阻值状态。由于PTC可以有效的保护电子产品，目前已被广泛应用于电流保护元件或电路元件上。基于高分子芯材的正温度系数过流防护元件（PTC元件）已广泛应用到通信、计算机、汽车、工业控制、家用电器等众多领域中，应用于电路的过流保护设置。目前市场对PTC的要求为较低的动作温度，较大的工作电流，从而满足目前电子产品大容量电池及安全性的要求。Break即为这一类型的保护器件。图1（A）显示一现有的过电流保护元件的立体图，其是将两金属箔片引脚11分别焊接在PTC材料层12的上下表面，金属箔片引脚11是作为引出端连接在需要保护的电气装置。图1（B）为该过流保护元件的侧视图，该PTC元件是由一PTC材料层12叠放至两电极箔13之间，电极箔13与金属箔片引脚11通过焊接导通。随着产品的发展，现在的电子产品拥有较大的工作电流，这就需要PTC元件在大电流通过时，PTC处于正常工作状态（不动作）。但是随着近些年电子产品的安全问题频出，各大电子产品厂家需要在较低的温度下就可以保护的PTC产品。这对于常规的PTC产品是一个矛盾的课题。
技术实现思路
本专利技术目的在于：提供一种过电流保护组件，与常规产品尺寸无差异的前提下，满足目前电子产品需要的较大的工作电流和较低的保护温度。为达到上述目的，本专利技术提供一种过电流保护组件，包含：两个金属箔片引脚；以及二个以上PTC材料芯片，其重叠设置于所述的两个金属箔片引脚之间，其特征在于：各PTC材料芯片具有不同的工作电流且并联连接，各PTC材料是内置式或并排排布结构，所述的内置式至少有一个PTC材料芯片有内孔，各PTC材料芯片尺寸从外至内依次减小，并使其中一个PTC材料芯片的外径尺寸小于另一PTC材料芯片的内孔尺寸，形成内置式结构。本专利技术过电流保护元件为一种新结构过流保护器件，其工作原理为各PTC材料芯片并联，因各PTC材料芯片的最大工作电流不同，其工作电流为各PTC材料芯片的最大工作电流的总和；当两种不同保护温度的PTC元件并联时，整个回路可以满足较低的动作温度，动作温度为其中动作温度较低PTC的动作温度；以及，较大的工作电流，工作电流等于两个PTC工作电流之和。在上述方案基础上，所述最外层PTC材料芯片的面积为10-100mm之间。进一步的，所述的PTC材料芯片为2-6个，当所述的PTC材料芯片为2个时，所述的金属箔片引脚宽度至少大于内层PTC材料芯片的外径尺寸；当所述的PTC材料芯片为3个以上时，所述的金属箔片引脚宽度至少大于亚外层PTC材料芯片的外径尺寸。较优的，至少所述两个PTC材料芯片与金属箔片引脚处于连接状态。在上述方案基础上，所述外层PTC材料芯片为环形结构，至少为多边环形、圆环形和不规则环形中的一种。在上述方案基础上，根据PTC材料芯片外径尺寸由小到大的顺序将外径尺寸小的芯片放置于另一个内孔尺寸稍大PTC材料芯片的内孔中。进一步的，所述最外层PTC材料层芯片的内孔尺寸大于内层芯片外径尺寸。较优的，所述最外层PTC材料层芯片有二个以上的内孔，内孔并排有序排布，使各PTC材料构成内置式并排结构。在上述方案基础上，所述过电流保护组件的厚度≤1.0mm。在上述方案基础上，各PTC材料芯片间的最大工作电流至少相差0.2A。本专利技术与目前的常规产品相比，产品尺寸并无差异，可以满足目前电子产品需要的较大的工作电流和较低的保护温度。且该专利技术适用于目前市场对PTC的要求。以适用目前市场对PTC保护器件的要求。附图说明图1为现有一种过电流保护元件示意图，其中，图1A立体示意图，图1B为截面示意图；图2是实施例1的过电流保护组件的结构示意图；图3是实施例2的过电流保护组件的结构示意图；图4是实施例3的过电流保护组件的结构示意图；图5是实施例4的过电流保护组件的结构示意图；图6是实施例5的过电流保护组件的结构示意图；图7是二个PTC材料芯片并联的工作原理示意图；图中标号说明：图2中：2——过电流保护组件；21、22——第一、二金属箔片引脚；23——外PTC材料芯片；231——内孔；24——内PTC材料芯片；图3中：3——过电流保护组件；31第一金属箔片引脚；32——第二金属箔片引脚33、34、35——外、亚外、内PTC材料芯片；331——外PTC材料芯片的内孔；341——亚外层PTC材料芯片的内孔；图4中：4——过电流保护组件；41——第一金属箔片引脚；42——第二金属箔片引脚；43——外PTC材料芯片；431、432——外PTC材料芯片内孔一、二；44、45——内PTC材料芯片一、二；图5中：5——过电流保护组件；51——第一金属箔片引脚；52——第二金属箔片引脚；53、54——PTC材料芯片一、二；图6中：6——过电流保护组件；61——第一金属箔片引脚；62——第二金属箔片引脚；63、64——PTC材料芯片一、二。具体实施方式实施例1本实施例1的过电流保护组件的结构示意图见图2所示，该过电流保护组件2是一带状型（strap）元件，其包含第一金属箔片引脚21、第二金属箔片引脚22及两个PTC材料芯片，两PTC材料芯片为内置式结构，即外PTC材料芯片23有一内孔231，内PTC材料芯片24与内孔231外形相近为矩形，且内PTC材料芯片24尺寸小于内孔231，内PTC材料芯片24内置于外PTC材料芯片23的内孔231中，第一金属箔片引脚21平铺在内、外PTC材料芯片24、23的上表面，第二金属箔片引脚22平铺在内、外PTC材料芯片24、23的下表面，通过两端金属电极分别引出。由此，该内、外PTC材料芯片24、23为二个为PTC元件并联结构，可以有效降低PTC元件电阻。其中，PTC材料芯片的结构与现有技术相同，均为包括PTC材料层、上下表面的金属电极箔。本实施例制备中，通过引脚连接在保护电路中，上述二个PTC材料芯片的工作电流不同，如图7是二个PTC材料芯片并联的工作原理示意图所示，为内、外PTC材料芯片24、23的工作原理示意图，闭合回路中，内PTC材料芯片24（为PTC元件1）的最大工作电流为2A,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过电流保护组件，包含：两个金属箔片引脚；以及二个以上PTC材料芯片，其重叠设置于所述的两个金属箔片引脚之间，其特征在于：各PTC材料芯片具有不同的工作电流且并联连接，各PTC材料是内置式或并排排布结构，所述的内置式至少有一个PTC材料芯片有内孔，各PTC材料芯片尺寸从外至内依次减小，并使其中一个PTC材料芯片的外径尺寸小于另一PTC材料芯片的内孔尺寸，形成内置式结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种过电流保护组件，包含：两个金属箔片引脚；以及二个以上PTC材料芯片，其重叠设置于所述的两个金属箔片引脚之间，其特征在于：各PTC材料芯片具有不同的工作电流且并联连接，各PTC材料是内置式或并排排布结构，所述的内置式至少有一个PTC材料芯片有内孔，各PTC材料芯片尺寸从外至内依次减小，并使其中一个PTC材料芯片的外径尺寸小于另一PTC材料芯片的内孔尺寸，形成内置式结构。


2.根据权利要求1所述的过电流保护组件，其特征在于，所述最外层PTC材料芯片的面积为10-100mm之间。


3.根据权利要求1或2所述的过电流保护组件，其特征在于，所述的PTC材料芯片为2-6个，当所述的PTC材料芯片为2个时，所述的金属箔片引脚宽度至少大于内层PTC材料芯片的外径尺寸；当所述的PTC材料芯片为3个以上时，所述的金属箔片引脚宽度至少大于亚外层PTC材料芯片的外径尺寸。


4.根据权利要求3所述的过电流保护组件，其特征在于，至少所述两个PTC材料芯片与金...

【专利技术属性】
技术研发人员：高道华，夏坤，张锐，黄贺军，潘月秀，张伟，吴国臣，
申请(专利权)人：上海维安电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31