阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阵列基板(10)，包括衬底(11)、设于所述衬底(11)上的薄膜晶体管(13)及第一阻光层(15)，所述第一阻光层(15)位于所述薄膜晶体管(13)远离所述衬底(11)的一侧，所述薄膜晶体管(13)的氧化物有源层(133)于所述衬底(11)上的正投影位于所述第一阻光层(15)于所述衬底(11)上的正投影内。本发明专利技术还提供一种显示装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，平板显示器已经占据了显示器市场的主导地位，并且朝着大尺寸，高分辨率的方向发展。为了满足大尺寸，高分辨率的要求，需要提高显示器中薄膜晶体管TFT的迁移率以提高显示效果，但是现有技术中非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的迁移率较低，已经成为提高显示效果的制约因素，氧化物TFT由于其比a-Si TFT高的迁移率，应用前途越来越广。但是，氧化物TFT的光照稳定性不强，氧化物TFT在受到外界光照射时容易造成氧化物有源层的漏电流增加，使得氧化物TFT的信赖性降低，影响显示质量。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术实施例公开一种提高信赖性的阵列基板及显示装置。一种阵列基板，包括衬底、设于所述衬底上的薄膜晶体管及第一阻光层，所述第一阻光层位于所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管的氧化物有源层于所述衬底上的正投影位于所述第一阻光层于所述衬底上的正投影内。进一步地，所述阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的薄膜晶体管及第一阻光层，所述第一阻光层位于所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管的氧化物有源层于所述衬底上的正投影位于所述第一阻光层于所述衬底上的正投影内。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的薄膜晶体管及第一阻光层，所述第一阻光层位于所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管的氧化物有源层于所述衬底上的正投影位于所述第一阻光层于所述衬底上的正投影内。


如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二阻光层，所述第二阻光层设于所述衬底与所述氧化物有源层之间。


如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设于所述衬底与所述第二阻光层之间。


如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层位于所述氧化物有源层与所述第二阻光层之间。


如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极及栅极绝缘层，所述栅极设于所述衬底上，所述第二阻光层设于所述栅极上并覆盖所述栅极，所述栅极绝缘层设于所述氧化物有源层与所述第二阻光层之间。


如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二阻光层于所述衬底上的正投影位于所述第一阻光层于所述衬底上的正投影内，所述第二阻光层于所述衬底上的正投影面积小于所述第一阻光层于所述衬底上的正投影面积。


如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极及栅极绝缘层，所述栅极设于所述衬底上，所述栅极绝缘层设于所述氧化物有源层与所述栅极之间，所述第二阻光层设于所述栅极绝缘层。

【专利技术属性】
技术研发人员：贾纬华，张祖强，邱昌明，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44