亚甲基二氢吡嗪与稠合噻吩的半导体共聚物制造技术

包括了组合物，其包括基于稠合噻吩化合物的杂环有机化合物，基于稠合噻吩化合物的聚合物，以及制造单体和聚合物的方法及用于基于薄膜的装置和其他装置的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】亚甲基二氢吡嗪与稠合噻吩的半导体共聚物背景本申请依据35U.S.C.§119要求于2018年8月29日提交的系列号为62/724,214的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并将其通过引用全文纳入本文。1.
本公开涉及基于稠合噻吩的半导体聚合物，其使用高效率的二烷氧基二亚甲基二氢吡嗪(AMDHP)基团的电子受体。2.
技术介绍
高度共轭的有机材料目前是大量研究活动的焦点，因为它们具有令人感兴趣的电子和光电性质，并且相比于它们的无机对应物(例如，硅)具有潜在的成本节约优势。例如，有机半导体可以用作印刷电子器件，有机晶体管(薄膜型、场效应型等)，有机发光二极管(OLED)，有机集成电路和有机太阳能电池中的官能性材料。潜在应用例如包括智能卡、安全标签、低成本传感器和平板显示器的底板中的开关元件。包含有机半导体材料的装置的性能可以通过电荷载流子迁移率、电流导通/截止比、阈值电压和导通/截止电流的大小来评价。目前可获得的材料常遭受低溶解度、有限的加工能力和氧化不稳定性的问题，这可导致得到低性能的电学指标。本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其包括具有式2或式3的重复单元的二烷氧基二亚甲基二氢吡嗪(AMDHP)稠合噻吩(FT)有机半导体聚合物，或者其盐、异构体或类似物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180829 US 62/724,2141.一种组合物，其包括具有式2或式3的重复单元的二烷氧基二亚甲基二氢吡嗪(AMDHP)稠合噻吩(FT)有机半导体聚合物，或者其盐、异构体或类似物：



其中，m是大于或等于零的整数；
其中，n是大于或等于1的整数；
X和Y独立地为共价键或芳基；
A和B独立地为氮基团或C-H基团；
R1和R2独立地为烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、芳烷基、氨基、酯、醛、羟基、烷氧基、硫醇、硫代烷基、卤化物、酰卤、丙烯酸酯、乙烯基醚或者它们的组合，其中，前述基团中的每一者是取代或未取代的；
R3和R4独立地为烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、芳烷基、氨基、酯、醛、羟基、烷氧基、硫醇、硫代烷基、卤化物、酰卤、丙烯酸酯、乙烯基醚或者它们的组合，其中，前述基团中的每一者是取代或未取代的；并且
p和q独立地为大于或等于零的整数。


2.如权利要求1所述的组合物，其中，A和B为氮。


3.如权利要求1或2所述的组合物，其中，R1和R2中的至少一者包括取代或未取代的烷基。


4.如权利要求3所述的组合物，其中，R1和R2中的至少一者包括未取代的烷基。


5.如权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，R3和R4中的至少一者包括取代或未取代的烷基。


6.如权利要求5所述的组合物，其中，R3和R4中的至少一者包括含有至少6个碳原子的取代或未取代的烷基。


7.如权利要求1-6中任一项所述的组合物，其中，X和Y独立地为至少一个未稠合的噻吩基团。


8.如权利要求1-7中任一项所述的组合物，其中p和q为不同的数值。


9.一种聚合物，其包括如权利要求1-8中任一项所述的组合物，所述聚合物的分子量在4000Da至180,000Da的范围内。


10.一种有机薄膜晶体管(OTFT)，其包括：
基材；
栅电极；
栅极介电层；
图案化的源极和漏极层；和
有机半导体层，
其中，所述有机半导体层包括具有如权利要求1-8中任一项所述的组合物的聚合物。


11.一种装置，其包括如权利要求1-8中任一项所述的组合物，所述装置以电子装置、光电装置或非线性光学装置构造。


12.如权利要求11所述的装置，其中，所述装置包括晶体管(FET)、薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)、光电(EO)装置、导电材料、双光子混合材料、有机半导体、RFID标签、电致发光装置、或光伏和传感器装置。


13.一种组合物，其具有式4的重复单元，或其盐、异构体或类似物：



其中，n是大于或等于1的整数。


14.一种制备二烷氧基二亚甲基二氢吡嗪(AMDHP...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺明谦，J·R·马修斯，钮渭钧，A·坦迪亚，A·L·华莱士，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US