一种IGBT均压电路及变频器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种IGBT均压电路及变频器，涉及变频器均压技术领域。IGBT均压电路包括IGBT、栅极箝位单元、电阻串联组件、第一电流灌入单元以及第二电流灌入单元，电阻串联组件包括第一电阻以及第二电阻；栅极箝位单元分别与IGBT的栅极、第一电阻以及第二电阻连接；第一电阻与第二电阻串联在IGBT的集电极与IGBT的发射极之间；第一电流灌入单元与第一电阻并联，第二电流灌入单元与第二电阻并联；第一电流灌入单元与第二电流灌入单元均设有箝位电压；第一电流灌入单元与第二电流灌入单元均用于在电压高于自身的箝位电压时向IGBT的栅极灌入电流。通过向IGBT的栅极灌入电流能够强化栅极对IGBT的有源控制效果，从而提升均压效果。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT均压电路及变频器
本专利技术涉及变频器均压
，尤其涉及一种IGBT均压电路及变频器。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)是中高压传动领域常用的功率半导体器件，以及调制和控制算法的执行单元，其耐压等级很大程度上影响了变频器功率拓扑选型、控制算法复杂度、整机成本体积以及运行效率等关键指标。近年来，中高压变频器朝着节能环保、国产化替代以及高可靠性的趋势快速发展。应用IGBT串联技术可以有效拓展变频器电压等级、取代国产率较低的高压IGBT器件、降低器件开关损耗、提升变频器载波频率、降低半导体器件成本占比和供货期等显著优势。此外，采用IGBT串联技术还可以简化中高压变频器的拓扑结构，调制和控制算法得以简化，变频器可靠性得到提升。应用IGBT串联技术的中高压变频器包含1个直流母线电容、三相(u，v，w)逆变桥臂和三相输出电抗器(Lu，Lv，Lw)。其中，每相桥臂由上下开关单元构成，每个开关单元由N个IGBT(N为≥2的整数)的集电极和发射极首尾串联组成。每个IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT均压电路，其特征在于，包括IGBT、栅极箝位单元、电阻串联组件、第一电流灌入单元以及第二电流灌入单元，所述电阻串联组件包括第一电阻以及第二电阻；所述栅极箝位单元分别与所述IGBT的栅极、所述第一电阻以及所述第二电阻连接；所述第一电阻与所述第二电阻串联在所述IGBT的集电极与所述IGBT的发射极之间；所述第一电流灌入单元与所述第一电阻并联，所述第二电流灌入单元与所述第二电阻并联；所述第一电流灌入单元与所述第二电流灌入单元均设有箝位电压；所述第一电流灌入单元与所述第二电流灌入单元均用于在电压高于自身的箝位电压时向所述IGBT的栅极灌入电流。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT均压电路，其特征在于，包括IGBT、栅极箝位单元、电阻串联组件、第一电流灌入单元以及第二电流灌入单元，所述电阻串联组件包括第一电阻以及第二电阻；所述栅极箝位单元分别与所述IGBT的栅极、所述第一电阻以及所述第二电阻连接；所述第一电阻与所述第二电阻串联在所述IGBT的集电极与所述IGBT的发射极之间；所述第一电流灌入单元与所述第一电阻并联，所述第二电流灌入单元与所述第二电阻并联；所述第一电流灌入单元与所述第二电流灌入单元均设有箝位电压；所述第一电流灌入单元与所述第二电流灌入单元均用于在电压高于自身的箝位电压时向所述IGBT的栅极灌入电流。


2.根据权利要求1所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述第一电流灌入单元包括第一箝位二极管以及第一电容，所述第一箝位二极管的负极与所述IGBT的集电极连接，所述第一箝位二极管的正极与所述第一电容连接，所述第一电容与所述第一电阻连接。


3.根据权利要求2所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述第二电流灌入单元包括第二箝位二极管以及第二电容，所述第二箝位二极管的负极与所述第二电容连接，所述第二箝位二极管的正极与所述第二电阻连接，所述第二电容与所述第一电容连接。


4.根据权利要求2所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述第二电流灌入单元包括第二箝位二极管以及第二电容，所述第二箝位二极管与所述第二电阻并联，所述第二电容与所述第二箝位二极管并联。


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【专利技术属性】
技术研发人员：周志达，吴轩钦，王国建，耿程飞，张旭，
申请(专利权)人：深圳市英威腾电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44