【技术实现步骤摘要】
一种应用于氮化镓器件的驱动电路、驱动装置及控制器
本申请属于控制器件
,尤其涉及一种应用于氮化镓器件的驱动电路、驱动装置及控制器。
技术介绍
目前GAN(氮化镓)器件在性能上要领先于传统的MOSFET,但因为工艺的限制,对其门极驱动电压有要求,一般最高不超过5.6V。然而,现在市场上的涉及到MOS驱动的电路(包括但不限于控制器等)驱动电压多为12V左右,在电路应用上GAN不能够直接替代MOSFET,需要再增加一个氮化镓器件专用的驱动芯片,增加了产品的成本,极大的限制了氮化镓器件的应用。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种应用于氮化镓器件的驱动电路、驱动装置及控制器,旨在解决目前的氮化镓器件的应用电路中需要专用芯片,极大的限制了氮化镓器件的应用的问题。本申请实施例的第一方面提供了一种一种应用于氮化镓器件的驱动电路,与所述氮化镓器件连接,所述应用于氮化镓器件的驱动电路包括:驱动端,用于接入驱动信号;电源端,用于接入预设的电源信号;单向导电模块,所述单向导电模块的阴 ...
【技术保护点】
1.一种应用于氮化镓器件的驱动电路,与所述氮化镓器件连接,其特征在于,所述应用于氮化镓器件的驱动电路包括:/n驱动端,用于接入驱动信号;/n电源端,用于接入预设的电源信号;/n单向导电模块,所述单向导电模块的阴极与所述驱动端连接;/n开关管器件,所述开关管器件的电流输入端与所述电源端连接,所述开关管器件的控制端与所述驱动端连接,所述开关管器件的电流输出端与所述单向导电模块的阳极共接于所述氮化镓器件的门极。/n
【技术特征摘要】
1.一种应用于氮化镓器件的驱动电路,与所述氮化镓器件连接,其特征在于,所述应用于氮化镓器件的驱动电路包括:
驱动端,用于接入驱动信号;
电源端,用于接入预设的电源信号;
单向导电模块,所述单向导电模块的阴极与所述驱动端连接;
开关管器件,所述开关管器件的电流输入端与所述电源端连接,所述开关管器件的控制端与所述驱动端连接,所述开关管器件的电流输出端与所述单向导电模块的阳极共接于所述氮化镓器件的门极。
2.如权利要求1所述的应用于氮化镓器件的驱动电路,其特征在于,所述单向导电模块包括二极管,所述二极管的阴极与所述驱动端连接,所述二极管的阳极与所述氮化镓器件的门极连接。
3.如权利要求2所述的应用于氮化镓器...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓海飞,
申请(专利权)人:珠海宝砾微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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