激光器芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底上形成有源层；于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In

【技术实现步骤摘要】
激光器芯片及制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种激光器芯片及制备方法。
技术介绍
半导体器件是利用半导体材料自身特殊的电学特性来完成特定功能的电子器件，可以用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等等。随着数据中心和电信网络等网络系统的调制速率的提升，涉及到的半导体器件的调制速率已经到达上限，需要一种调制速率更高，且在高温工作环境下更优异的半导体器件性能来满足市场需求。现如今，传统的激光器芯片在高温工作环境中，激光器芯片中内的电子能量增大，量子阱有源区不足以完全束缚注入量子阱的电子，导致大量电子溢流出有源区，难以应用于工业级宽温操作领域，不能满足市场需求。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种激光器芯片及制备方法。为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种激光器芯片的制备方法，包括：提供基底；于所述基底上形成有源层；于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In1-xGaxP材料层；于所述电子阻挡层的表面形成外延结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n于所述基底上形成有源层；/n于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In

【技术特征摘要】
1.一种激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底；
于所述基底上形成有源层；
于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In1-xGaxP材料层；
于所述电子阻挡层的表面形成外延结构。


2.根据权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述In1-xGaxP材料层中x的取值范围为0.104~0.175，所述In1-xGaxP材料层的厚度为10nm~20nm。


3.根据权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述有源层包括InGaAsP应变多量子阱有源层，所述于所述基底上形成有源层之前还包括于所述基底的表面形成缓冲层的步骤。


4.根据权利要求3所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述电子阻挡层的表面形成外延结构，包括：
于所述电子阻挡层远离所述有源层的表面形成第一包层；
于所述第一包层远离所述电子阻挡层的表面形成衍射光栅结构；
于所述第一包层远离所述电子阻挡层的表面及所述衍射光栅结构的表面形成第二包层，所述第二包层包覆所述衍射光栅结构；
于所述第二包层远离所述第一包层的表面形成金属接触层。


5.根据权利要求4所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述第一包层远离所述电子阻挡层的表面形成衍射光栅结构，包括：
于所述第一包层远离所述电子阻挡层的表面形成衍射光栅层；
于所述衍射光栅层远离所述第一包层的表面形成盖层；
采用相干法光栅光刻工艺形成图案化衍射光栅层和图案化盖层，以于所述第一包层远离所述电子阻挡层的表面形成所述衍射光栅结构。


6.根据权利要求4所述的激光器...

【专利技术属性】
技术研发人员：师宇晨，潘彦廷，李马惠，穆瑶，董延，陈发涛，刘钿，曹凡，谷润妍，
申请(专利权)人：陕西源杰半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61