一种电吸收调制激光器芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电吸收调制激光器芯片，属于半导体激光器技术领域，能够降低现有EML的啁啾，可实现长距离传输。所述电吸收调制激光器芯片包括：激光器，用于发射激光束；电吸收调制器，设置在激光器的出光侧，用于对激光束进行调制；饱和体，用于对激光束中的至少一部分光线进行饱和吸收或放大。本实用新型专利技术用于激光器芯片。于激光器芯片。于激光器芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种电吸收调制激光器芯片


[0001]本技术涉及一种电吸收调制激光器芯片，属于半导体激光器


技术介绍

[0002]随着用户对通讯网络的需求不断增加，现有网络需要进一步提高系统速率、降低成本以满足市场需求。在数据中心、城域网以及部分DWDM（Dense Wavelength Division Multiplexing，密集波分复用）场景中，EML（Electro
‑
absorption modulated Laser，电吸收调制激光器芯片）凭借其高速率、传输距离远等优点被广泛应用。
[0003]对于LWDM（Lan
‑
Wavelength Division Multiplexing，细波分复用）应用场景，由于1310nm波段光纤色散接近0，并且调制速率仅有25G，EML完全可以满足80km的传输距离。对于数据中心的应用场景，由于传输距离较短，EML可以满足50G波特率的应用需求。但是随着数据中心的网络速率朝向200G发展，即使对于2km的传输距离，色散也会成为限制因素。在城域网的应用场景中，为了降低芯片成本，使用单颗100G EML实现10km、40km传输时，由于调制速率高、传输距离长，色散也成为限制芯片性能的主要因素。
[0004]为了提高EML的传输距离，提升系统性能，需要进一步优化EML设计，降低EML啁啾。而为了降低EML的啁啾，现有技术中可增加EAM（Electro
‑
absorption modulator，电吸收调制器）的偏压，或者缩小工作波长与EAM吸收峰的失谐量，但此种方式会增加EAM的插损，导致出光功率下降，难以满足系统的功率要求，还会增加EAM的电容，导致带宽下降。在另一现有技术中，可在EAM的出光端连接半导体光放大器，以补偿光功率，但是此种方式会增加系统功耗。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种电吸收调制激光器芯片，能够降低现有EML的啁啾，可实现长距离传输。
[0006]本技术提供了一种电吸收调制激光器芯片，包括：
[0007]激光器，用于发射激光束；
[0008]电吸收调制器，设置在所述激光器的出光侧，用于对所述激光束进行调制；
[0009]饱和体，用于对所述激光束中的至少一部分光线进行饱和吸收或放大。
[0010]可选的，所述饱和体设置在所述电吸收调制器的出光侧，用于对经过所述电吸收调制器调制后的激光束进行饱和吸收或放大。
[0011]可选的，所述饱和体设置在所述电吸收调制器的正上方或正下方，用于对所述激光器发射的部分光线进行饱和吸收或放大。
[0012]可选的，所述饱和体与所述电吸收调制器的外延材料相同。
[0013]可选的，还包括：
[0014]饱和体电极，用于向所述饱和体提供电流。
[0015]可选的，所述饱和体电极的电流范围为10~50mA。
[0016]可选的，所述饱和体的长度为30~200um。
[0017]可选的，还包括：激光器电极和调制器电极；
[0018]所述激光器电极、所述调制器电极和所述饱和体电极之间通过波导依次连接。
[0019]可选的，所述波导与芯片解理端面垂直。
[0020]本技术能产生的有益效果包括：
[0021]本技术提供的电吸收调制激光器芯片，通过在电吸收调制器的上方、下方或者出光侧设置饱和体，利用饱和体对激光器发射的部分光信号或经过电吸收调制器调制后的光信号进行饱和吸收或放大，饱和体可实现对0、1信号不同的吸收或放大系数，从而可以降低EML的啁啾，实现了长距离传输，同时简化工艺流程，降低器件功耗。
附图说明
[0022]图1为本技术实施例1提供的电吸收调制激光器芯片结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例1的实验结果图；
[0024]图3为本技术实施例2提供的电吸收调制激光器芯片结构示意图；
[0025]图4为本技术实施例3提供的电吸收调制激光器芯片结构示意图；
[0026]图5为本技术实施例4提供的电吸收调制激光器芯片结构示意图。
[0027]部件和附图标记列表：
[0028]11、激光器；12、电吸收调制器；13、饱和体；14、饱和体电极；15、激光器电极；16、调制器电极。
具体实施方式
[0029]下面结合实施例详述本技术，但本技术并不局限于这些实施例。
[0030]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]本技术实施例提供了一种电吸收调制激光器芯片，如图1、图3至5所示，包括：
[0032]激光器11，用于发射激光束；其中，激光器11可以选用DFB（Distributed Feedback Laser，分布式反馈激光器）。
[0033]电吸收调制器12，设置在激光器11的出光侧，用于对激光束进行调制。
[0034]饱和体13，用于对激光束中的至少一部分光线进行饱和吸收或放大。
[0035]在实际应用中，饱和体13可以设置在电吸收调制器12的前方，也可以设置在电吸收调制器12的上方或下方。具体的，参考图1和图3所示，饱和体13设置在电吸收调制器12的出光侧，用于对经过电吸收调制器12调制后的激光束进行饱和吸收或放大。参考图4和图5所示，饱和体13设置在电吸收调制器12的正上方或正下方，用于对激光器11发射的部分光线进行饱和吸收或放大。
[0036]本技术实施例对于饱和体13的设置长度不做限定，较佳的，饱和体13的长度可以为30~200um。
[0037]本技术实施例对于激光器11、电吸收调制器12和饱和体13的制作材料均不做限定，在实际应用中，激光器11、电吸收调制器12和饱和体13可以使用外延材料制作。优选的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电吸收调制激光器芯片，其特征在于，包括：激光器，用于发射激光束；电吸收调制器，设置在所述激光器的出光侧，用于对所述激光束进行调制；饱和体，用于对所述激光束中的至少一部分光线进行饱和吸收或放大。2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述饱和体设置在所述电吸收调制器的出光侧，用于对经过所述电吸收调制器调制后的激光束进行饱和吸收或放大。3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述饱和体设置在所述电吸收调制器的正上方或正下方，用于对所述激光器发射的部分光线进行饱和吸收或放大。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述饱...

【专利技术属性】
技术研发人员：李马惠，穆瑶，任鹏强，
申请(专利权)人：陕西源杰半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：