一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，包括：N面电极、GaAs衬底、GaInP缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、量子阱混杂有源区、AlGaInP上波导层、AlInP上限制层、介质薄膜、GaInP势垒层、GaAs欧姆接触层、P面电极，量子阱混杂有源区包括GaInP量子阱和AlGaInP量子垒。本发明专利技术通过对整个激光器材料结构的有源区进行量子阱混杂，在保证有源区应变变化较小的前提下实现对有源区能带结构的调整，将激光器输出波长蓝移变短，是一种利用GaInP材料实现短波长红光、黄光、橙光、绿光激光器的新结构，该激光器具有输出功率和光电转换效率高，可靠性好的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器及制备方法
本专利技术属于半导体激光器
，具体涉及一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器及制备方法。
技术介绍
GaInP材料主要用于制作650nm-680nm波段的红光半导体激光器，此前该类器件常被用在光盘读写系统、条形码阅读器、激光打印等领域。但是更短波长的红光半导体激光器在生物医学、大气探测、自适应光学、激光显示、农业园艺、食品药品检测、塑料光纤通讯、高精度光谱学等领域都有着广泛的应用前景，之前所研究的红光激光器主要集中在650nm-680nm波段，随着大气天文探测、现代生物医学等领域对红光波段激光个性化定制的不断增多，充分发挥半导体激光器可连续定制波长、适于规模化生产、使用方便的天然优势，研制短波长激光器(630nm以内红光、橙光、黄光)成为半导体激光领域的一个重要发展方向。大气光学研究中，通过对激光激发大气中圈层顶的钠原子发出共振荧光散射进行探测或成像，可开发高清晰天文成像、空间目标识别、激光武器等领域的重要应用。生物医学领域，利用激光激发多种荧光色素，可以快速测量分散细胞的一系列生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，其特征在于，所述激光器结构从下至上依次包括：N面电极(1)，GaAs衬底(2)，GaInP缓冲层(3)，AlInP下限制层(4)，AlGaInP下波导层(5)，量子阱混杂有源区(6)，AlGaInP上波导层(7)，AlInP上限制层(8)，介质薄膜(9)，GaInP势垒层(10)，GaAs欧姆接触层(11)，P面电极(12)，所述量子阱混杂有源区(6)包括量子阱和量子垒。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，其特征在于，所述激光器结构从下至上依次包括：N面电极(1)，GaAs衬底(2)，GaInP缓冲层(3)，AlInP下限制层(4)，AlGaInP下波导层(5)，量子阱混杂有源区(6)，AlGaInP上波导层(7)，AlInP上限制层(8)，介质薄膜(9)，GaInP势垒层(10)，GaAs欧姆接触层(11)，P面电极(12)，所述量子阱混杂有源区(6)包括量子阱和量子垒。


2.根据权利要求1所述的一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，其特征在于，所述量子阱混杂有源区(6)中量子阱的材料为GaInP材料，量子垒的材料为AlGaInP材料，量子阱的个数为1-10个，GaInP量子阱的厚度为2-12nm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，赵荣进，邓泽军，马泽坤，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61