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本发明公开了一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，包括：N面电极、GaAs衬底、GaInP缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、量子阱混杂有源区、AlGaInP上波导层、AlInP上限制层、介质薄膜、GaInP势垒层、GaA...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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