一种Au/PbS/CsPbCl制造技术

本发明专利技术属于纳米半导体器件技术领域，涉及一种用简单的低温溶液法制备垂直堆垛Au/PbS/CsPbCl

【技术实现步骤摘要】
一种Au/PbS/CsPbCl3垂直堆垛结构光晶体管的制备方法
本专利技术属于纳米半导体器件
，特别涉及到一种Au/PbS/CsPbCl3垂直堆垛结构光晶体管的制备方法
技术介绍
全无机金属卤化物钙钛矿(CsPbX3，X＝C1，Br，I)具有价格低廉、方便储存以及容易制备等优点，已经在光显示、光通信以及光探测等领域被广泛应用。近年来，CsPbCl3纳米片(NPLs)因其出色的面内载流子传输性能、强的量子限制和长的载流子扩散长度而广受关注。然而，CsPbCl3NPLs固有的窄带光吸收和弱光响应(mA/W)的缺点阻碍了其在光电领域的大规模应用。为了应对这些挑战，我们迫切需要寻找到一种具有宽谱光吸收的理想材料，这种材料可以与CsPbCl3NPLs结合来克服CsPbCl3NPLs的这些缺点。已有研究报道，硫化铅量子点(PbSQDs)具有宽的光吸收范围、大的激子玻尔半径和长的载流子寿命等优点，而特别适合这一需求。目前，基于钙钛矿/PbSQDs的光探测器已经解决了光吸收范围窄(钙钛矿)和载流子迁移率低(PbSQDs)的问题。然而，PbSQDs较小的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Au/PbS/CsPbCl

【技术特征摘要】
1.一种Au/PbS/CsPbCl3垂直堆垛结构光晶体管的制备方法，采用n型重掺杂的硅片作为栅电极，并在其上方覆盖一层二氧化硅作为栅极绝缘层，然后通过热蒸镀法在绝缘层上蒸镀两个金电极作为器件的源电极和漏电极，其特征在于，在栅极绝缘层上，两个金电极之间依次旋涂AuNPs溶液、PbSQDs溶液和CsPbCl3NPLs溶液，具体包括以下步骤：
(1)将一定量的AuNPs溶液旋涂在光晶体管的基底上，得AuNPs涂层；将旋涂有AuNPs的光晶体管置于氩气环境中200～220℃退火10～15min；
(2)将一定量的PbSQDs溶液旋涂到步骤(1)的AuNPs涂层上，得PbSQDs涂层；随后马上用CTAB甲醇溶液对PbSQDs涂层进行表面配体交换，在PbSQDs涂层上旋涂CTAB甲醇溶液，静置，再旋涂甲醇溶液在基底上以清除杂质和多余的CTAB，待甲醇在空气中自然挥发后，甲醇溶液重复旋涂数次；把旋涂好的光晶体管再次置于充满氩气的管式炉中，80～100℃退火10～15min；
(3)将一定量的CsPbCl3NPLs溶液旋涂到步骤(2)的PbSQDs涂层上，将旋涂好的光晶体管置于氩气环境静置2～4小时。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵新宏，张新福，李凯，方永初，陶宇，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32