【技术实现步骤摘要】
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
本公开涉及太阳能电池
,尤其涉及一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着硅原料的缺乏,加速了硅片向薄片化发展。用于太阳能电池的正常硅片的厚度为150-180μm,而薄片化的硅片的厚度为50-130μm。薄片化的硅片制备获得的太阳能电池简称薄片电池。由于晶体硅是间接带材料,光吸收系数小,太阳能电池厚度减小时,由于透射光引起的损失随厚度的减小而增大,因此,薄片电池更容易造成对光利用的不充分和浪费,从而使得薄片电池比正常厚度电池的电流明显低很多。硅基异质结(SHJ)太阳能电池是目前主流的几种高效太阳能电池技术。SHJ太阳能电池具有高转化效率、低温度系数的特点,具有广阔的市场前景。图1示出了常规的SHJ太阳能电池的结构示意图。如图1所示,SHJ异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一ITO透明导电层、n型非晶或微晶层、第一本征非晶或微晶硅钝化层、n型单晶硅片、第二本征非晶或微晶硅钝化层、p型非晶或微晶层、第二ITO透明导电层和第二电极。目前,有两种方案用来提高 ...
【技术保护点】
1.一种硅基异质结太阳能电池,其特征在于,在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结太阳能电池,其特征在于,在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层。
2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层包括介质材料层,所述介质材料层的材料为光疏介质材料。
3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质材料的折射率为范围在1-3.7中任一值。
4.根据权利要求2或3所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层具有两层所述介质材料层,所述光疏介质层还包括纳米颗粒层,所述纳米颗粒层包裹于两层所述介质材料层之间;
所述纳米颗粒层的材料为具有表面等离子体效应的金属纳米颗粒。
5.根据权利要求4所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒或金纳米颗粒;
可选地,所述光疏介质材料选择为氟化镁、二氧化硅和氮化硅中的一种或多种;
可选地,所述光疏介质层中两层所述介质材料层的材料选择为相同或不同。
6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层的层数为至少一层。
7.根据权利要求5所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,在所述光疏介质层的远离所述背表面的表面设置红外高反材料层...
【专利技术属性】
技术研发人员:董刚强,郁操,
申请(专利权)人:苏州迈为科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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