【技术实现步骤摘要】
一种基于双极性SnOx的晶硅太阳电池
本专利技术涉及一种采用双极性的x≤1.8的SnOx作为空穴选择性接触材料，又采用了x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料的晶硅电池，属于光伏和半导体器件制造
技术介绍
晶硅太阳电池目前仍在光伏市场占据主导地位，进一步提高光电转换效率和降低成本是推动其大规模发展的关键因素。在晶硅太阳电池中，金属电极与硅片直接接触区域存在严重的复合，成为制约其光电转换效率提升的重要因素。为了降低接触复合，一方面通过局部开孔技术来减小金属电极与硅片的直接接触面积，如：钝化发射层和背部(PERC)电池，钝化发射极和背部局部扩散(PERL)电池，钝化发射层和背部全扩散(PERT)电池。但是上述电池结构中金属与硅片的直接接触仍然存在；开孔工艺复杂，且在开孔处容易带来损伤；局部开孔限制了载流子的传输路径，使之偏离垂直于接触面的最短路径并拥堵在开口处，进而导致填充因子的损失。另一方面，对硅片表面进行全面积钝化，无需开孔也能有效分离和输运载流子，即载流子选择性钝化接触，进而实现载流子在两端电极之间的一维输运...
【技术保护点】
1.一种基于双极性SnO
【技术特征摘要】
1.一种基于双极性SnOx的晶硅太阳电池，其特征在于所述晶硅太阳电池采用了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料，又采用了x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料。
2.如权利要求1所述的基于双极性SnOx的晶硅太阳电池，其特征在于可直接采用x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料，采用x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料；也可以在硅片和载流子选择性接触材料SnOx之间插入钝化材料，所述钝化材料为本征非晶硅(i-a-Si:H)、本征非晶硅氧合金、非晶硅氮合金、氧化硅(SiOx)、三氧化二铝中的一种或者两种及其以上的叠加组合。
3.如权利要求1所述的基于双极性SnOx的晶硅太阳电池，其特征在于衬底选用n型、p型的单晶或多晶硅片，硅片形貌为双面抛光、单面抛光或双面制绒。
4.如权利要求1所述的基于双极性SnOx的晶硅太阳电池，其特征在于所述晶硅太阳电池为双面受光电池或单面受光电池。
5.如权利要求4所述的基于双极性SnOx的晶硅太阳电池，其特征在于所述的双面受光电池中，电池两面均采用透明导电氧化物(TCO)和金属栅线作为电极；单面受光电池中，电池受光面采用透明导电氧化物(TCO)和金属栅线作为电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓丹，延玲玲，李宇翔，李仁杰，任慧志，石标，王鹏阳，黄茜，许盛之，魏长春，侯国付，赵颖，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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