异质结太阳能电池片及光伏组件制造技术

技术编号:26149404 阅读:80 留言:0更新日期:2020-10-31 11:49
本实用新型专利技术公开了一种异质结太阳能电池片及光伏组件,其中异质结太阳能电池片包括:N型硅片,依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极,以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极;所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层,所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜;本实用新型专利技术所提供异质结太阳能电池片可大幅降低水汽、Na

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池片及光伏组件
本技术涉及光伏领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池片及光伏组件。
技术介绍
随着太阳能电池生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。异质结太阳能电池片因制备温度低、电池转换效率高、可双面发电以及成本下降空间大等优点,被视为下一代可量产的高效电池之一。然由于异质结太阳能电池片对水汽、Na+的敏感程度相对其它类型的太阳能电池片的敏感程度更强,在具体光伏组件的应用过程中,异质结太阳能电池片更容易受外界环境影响而出现性能恶化的问题。有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述技术目的,本技术提供了一种异质结太阳能电池片,其具体设计方式如下。一种异质结太阳能电池片,包括:N型硅片,依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极,以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池片,包括:N型硅片,依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极,以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极;/n其特征在于,所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层,所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池片,包括:N型硅片,依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极,以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极;
其特征在于,所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层,所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜。


2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,所述钝化保护膜层还包括连接所述顶保护膜与所述底保护膜周边的侧保护膜。


3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,所述钝化保...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓士锋丁增千夏正月许涛邢国强
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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