三维亥姆霍兹线圈架及三维亥姆霍兹线圈结构制造技术

技术编号:28042480 阅读:34 留言:0更新日期:2021-04-09 23:25
本发明专利技术的三维亥姆霍兹线圈架,通过将三个正柱体在其中间位置形成互相垂直交叉连接结构,形成一个三维坐标,然后以此为基础,在其周围设置八个边角块及十二个中间块,并设定边角块、中间块及正方体柱的尺寸关系以及位置连接关系,并设置边角块与中间块之间及中间块与正方柱体之间均具有间隙,使整个亥姆霍兹线圈架的外形呈正六面体结构,以此形成沿三轴方向的二个距离相等的第一间隙槽、第二间隙槽及第三间隙槽,实现每个维度的两线圈之间的距离相等;另外设置六个相同的线圈架,当线圈缠绕在该六个间隙槽中后,实现每个维度之间的线圈尺寸大小相等;另外本发明专利技术的三维亥姆霍兹线圈架制备简单且成本较低。

【技术实现步骤摘要】
三维亥姆霍兹线圈架及三维亥姆霍兹线圈结构
本专利技术涉及磁场测量
,特别是涉及一种三维亥姆霍兹线圈架及三维亥姆霍兹线圈。
技术介绍
匀强磁场在物理理论分析和实验研究中起着重要的作用,而亥姆霍兹线圈产生的磁场就具有一定的优越性,能在其公共轴线中点附近产生一定的均匀磁场,而且大小也可以通过改变实验参数来调节,它可以作为一个稳定的磁场发生器来被人们使用和测试,因而成为磁测量等物理实验的重要组成部件。因此,在生产和科研中,亥姆霍兹线圈具有一定的优越性。如图1及图2所示,亥姆霍兹线圈是由一对半径都为R、同轴放置且间距等于半径R的线圈构成的,通电时能在其公共轴线中点附近产生均匀磁场,同时在不通电的情况下不会产生环境磁场。传统的亥姆霍兹线圈磁场发生装置通常由一维或者二维亥姆霍兹线圈以及控制器组成,只能产生一维或者二维方向上的磁场,而且一般为直流磁场。但是在涉及磁传感器的设计、测试以及应用等较多场合,不仅仅需要直流磁场,而且还需要三维空间方向的交流磁场来对传感器的响应性能做出判断,便于后期的设计、优化以及处理。因而,出现了能产生三维空间方向的三维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维亥姆霍兹线圈架,其特征在于,所述三维亥姆霍兹线圈架至少包括:/n三个正方柱体,且三个所述正方柱体在其中间位置形成沿X轴、Y轴及Z轴互相垂直交叉连接结构,三个所述正方柱体沿高度方向具有通孔;/n设置于三个所述正方柱体外周的八个边角块及十二个中间块,其中,所述边角块的长度是所述中间块的长度的一半,所述边角块的宽度与所述中间块的宽度相等,所述边角块的高度与所述中间块的高度相等,所述正方柱体的长度与所述中间块的长度相等;/n三个所述正方柱体、八个所述边角块及十二个所述中间块构成正六面体结构,八个所述边角块设置于所述正六面体结构的边角,每个所述中间块设置于相邻两个所述边角块之间,其中,所述边...

【技术特征摘要】
1.一种三维亥姆霍兹线圈架,其特征在于,所述三维亥姆霍兹线圈架至少包括:
三个正方柱体,且三个所述正方柱体在其中间位置形成沿X轴、Y轴及Z轴互相垂直交叉连接结构,三个所述正方柱体沿高度方向具有通孔;
设置于三个所述正方柱体外周的八个边角块及十二个中间块,其中,所述边角块的长度是所述中间块的长度的一半,所述边角块的宽度与所述中间块的宽度相等,所述边角块的高度与所述中间块的高度相等,所述正方柱体的长度与所述中间块的长度相等;
三个所述正方柱体、八个所述边角块及十二个所述中间块构成正六面体结构,八个所述边角块设置于所述正六面体结构的边角,每个所述中间块设置于相邻两个所述边角块之间,其中,所述边角块与中间块之间及所述中间块与所述正方柱体之间均具有间隙,所述间隙形成沿X轴的二个第一间隙槽、沿Y轴的二个第二间隙槽及沿Z轴的二个第三间隙槽;
六个相同的线圈架,分别设置于二个所述第一间隙槽、二个所述第二间隙槽及二个所述第三间隙槽的中间;
三个所述正方体柱与八个所述边角块、十二个所述中间块及六个所述线圈架固定连接。


2.根据权利要求1所述的三维亥姆霍兹线圈架,其特征在于:三个所述正方体柱与八个所述边角块、十二个所述中间块及六个所述线圈架一体成型。


3.根据权利要求1所述的三维亥姆霍兹线圈架,其特征在于:三个所述正方柱...

【专利技术属性】
技术研发人员:王津洲布兰登·布雷
申请(专利权)人:芯恩青岛集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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