一种交换偏置场可调控的存储器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及磁存储技术领域，尤其是一种交换偏置场可调控的存储器结构，经柔性衬底层、第一隧道结层、第二隧道结层以及在第一隧道结层与第二隧道结层之间设MOF材料层，使得具有交换偏置场的结构单元在柔性衬底层，结合铁磁层，改善对应力敏感性，保障了温度、电场致使应力变化，而实现交换偏置场大小调整，且结合具有[(CH

【技术实现步骤摘要】
一种交换偏置场可调控的存储器结构
本技术涉及磁存储
，尤其是一种交换偏置场可调控的存储器结构。
技术介绍
交换偏置是包含铁磁/反铁磁结构单元，在界面交换耦合作用下，磁滞回线中心偏离磁场零点的磁现象，偏离量被称为交换偏置场。交换偏置现象已经在磁存储、磁传感器等许多方面获得了广泛应用，且随着对交换偏置现象研究的深入，使得许多新的潜在应用的试验现象被相继发现。目前，具有交换偏置现象的结构单元都是形成在刚性衬底表面，例如：玻璃衬底，使得对交换偏置场的调控依赖于外加磁场，致使交换偏置场调控不灵活，手段单一。鉴于此，有研究者针对该技术缺陷，开展了交换偏置场可调控结构单元的研究，例如：专利申请号为201410077376.2，公开了采用具有柔韧性的衬底，使得交换偏置场的调控手段灵活，调控方便简单易行。然而，交换偏置场在调控过程中，主要还是基于能够产生交换偏置场而实现，若即使在柔性衬底作用下，实现温度可调控，但是在整个结构单元中，根本无法实现交换偏置场的产生，故而也无法形成交换偏置场，也就是不存在交换偏置场调控问题。根据现有文献所介绍，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，包括柔性衬底层(1)，设在所述柔性衬底层(1)上的缓冲层(2)，设在所述缓冲层(2)上的铁磁层(3)，设在所述铁磁层(3)上的插入层(4)，设在所述插入层(4)上的第一隧道结层，设在所述第一隧道结层上面的第二隧道结层，设在所述第二隧道结层上的覆盖层(12)和设在所述覆盖层(12)上的保护层(13)，且所述第一隧道结层与所述第二隧道结层之间设有MOF材料层(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，包括柔性衬底层(1)，设在所述柔性衬底层(1)上的缓冲层(2)，设在所述缓冲层(2)上的铁磁层(3)，设在所述铁磁层(3)上的插入层(4)，设在所述插入层(4)上的第一隧道结层，设在所述第一隧道结层上面的第二隧道结层，设在所述第二隧道结层上的覆盖层(12)和设在所述覆盖层(12)上的保护层(13)，且所述第一隧道结层与所述第二隧道结层之间设有MOF材料层(8)。


2.如权利要求1所述的交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，所述的第一隧道结层包括紧贴所述插入层(4)的第一反铁磁层(5)和紧贴所述MOF材料层(8)的第二反铁磁层(7)以及位于所述第一反铁磁层(5)与所述第二反铁磁层(7)之间的第一势垒层(6)。


3.如权利要求1所述的交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，所述的第二隧道结层包括紧贴所述MOF材料层(8)的第三反铁磁层(9)和紧贴所述覆盖层(12)的第四反铁磁层(11)以及位于所述第三反铁磁层(9)与所述第四反铁磁层(11)之间的第二势垒层(10)。


4.如权利要求1所述的交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，所述的第一隧道结层的厚度＞所述第二隧道结层的厚度。


5.如权利要求1或4所述的交换偏置场可调控的存储器结构，其特征在于，所述的第一隧道结层包括紧贴所述插入层(4)的第一反铁磁层(5)和紧贴所述MOF材料层(8)的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪伟，
申请(专利权)人：遵义师范学院，
类型：新型
国别省市：贵州;52