温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及磁存储技术领域，尤其是一种交换偏置场可调控的存储器结构，经柔性衬底层、第一隧道结层、第二隧道结层以及在第一隧道结层与第二隧道结层之间设MOF材料层，使得具有交换偏置场的结构单元在柔性衬底层，结合铁磁层，改善对应力敏感性，保障了...
该专利属于遵义师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过遵义师范学院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。