一种量子点LED显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种量子点LED显示装置，其包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，像素单元阵列设置在线路基板上，像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；透明介质层包裹在LED芯片周侧，光转换层置于透明介质层上方，隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。本实用新型专利技术通过设置隔离墙来保证QD材料的沉积效果，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；同时，光转换层与透明介质层内的LED芯片之间存在间距，以避免光转换层直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应影响发光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点LED显示装置
本技术涉及显示
，尤其是涉及一种量子点LED显示装置。
技术介绍
MicroLED有着高亮度、快响应和高寿命，被称为下一代显示产品的革命。但实际上需要将数以千万计的LED从外延生长基底蓝宝石剥离下来，之后转移到驱动背板上，这种巨量的转移对于技术设备的难度较大。量子点材料(QD)具有光致发光稳定性好、半峰宽窄、色域高等特点，可以通过波长较短的蓝光来激发QD来产生红绿光，从而实现彩色显示，仅需要转移蓝光芯片即可，降低了巨量转移制程的难度。由于蓝光芯片与QD材料的兼容性问题，直接接触会增大量子点的猝灭效应影响发光，需要避免QD材料与蓝光芯片的直接接触，传统显示器件制造过程是，在另外一块基板来沉积QD层形成QD基板，再将线路基板与QD基板准确对位贴合之后成为整个显示器件，致使蓝光芯片与QD层的贴合性不好，随着分辨率的提升，容易造成此像素的蓝光芯片发光散到相邻的其它像素中造成光串扰而影响单个像素独立显示；另外，传统显示器件制造过程对于贴合工艺及对位精度要求较高，而且工艺复杂，不利于大规模量产进程。技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点LED显示装置，其特征在于：包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，所述像素单元阵列设置在线路基板上，所述像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；所述透明介质层包裹在LED芯片周侧，所述光转换层置于透明介质层上方，所述隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点LED显示装置，其特征在于：包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，所述像素单元阵列设置在线路基板上，所述像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；所述透明介质层包裹在LED芯片周侧，所述光转换层置于透明介质层上方，所述隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。


2.根据权利要求1所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：还包括封装层，所述封装层覆盖在隔离墙上方。


3.根据权利要求2所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：所述隔离墙围设形成多个矩阵腔，所述LED芯片、透明介质层及光转换层分别置于矩阵腔内。


4.根据权利要求3所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层与所述封装层直接接触，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转换层接触，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔内的LED芯片上方的透明介质层。


5.根据权利要求3所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层上方设置有蓝光散射粒子层，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩平，黄志强，庄文荣，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44