具有内置射频识别标签的电源封装制造技术

技术编号:28038496 阅读:55 留言:0更新日期:2021-04-09 23:21
本公开的各实施例涉及具有内置射频识别标签的电源封装。方法包括:提供电源封装(PSP),电源封装包括电源(135)、RFID标签(100)和功率开关(139),其中功率开关的控制端子被耦合至RFID标签的输出端子(113),并且功率开关的负载路径端子被耦合在PSP的输出端子(143)和电源的第一端子(147)之间,其中RFID标签的控制寄存器利用被预编程有第一值,使得RFID标签被配置为生成第一控制信号,第一控制信号将功率开关关断;由RFID标签接收针对RFID标签的控制寄存器的第二值;以及由RFID标签将第二值写入RFID标签的控制寄存器,使得RFID标签被配置为生成第二控制信号,第二控制信号将功率开关导通。

【技术实现步骤摘要】
具有内置射频识别标签的电源封装
本专利技术总体上涉及射频识别(RFID)标签,并且在具体实施例中,涉及具有用于防盗目的的内置RFID标签的电源封装。
技术介绍
RFID用于使用无线电波来唯一地标识制品。典型的RFID系统包括RFID标签和RFID阅读器(也称为阅读器或阅读器设备)。RFID阅读器将询问信号(例如,射频信号)发送到RFID标签,并且RFID标签以其唯一信息做出响应。RFID系统可以在各种频率范围(例如,在125KHz至134KHz之间的低频(LF)范围、在13.56MHz的高频(HF)或在856MHz至928MHz之间的超高频范围)处操作。存在用于RFID通信的各种行业标准(例如,ISO15693、ISO18000和ISO24730)。近场通信(NFC)是RFID通信的子集,并且以与HFRFID阅读器和标签相同的频率(例如,13.56MHz)进行操作。存在针对NFC的各种标准(例如,ISO/IEC14443、ISO/IEC18092和ISO/IEC21481)。尽管RFID系统的工作距离可达数百米,但近场通信通常在很短的距本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法,包括:/n提供电源封装,所述电源封装包括电源、与所述电源耦合的射频识别RFID标签和功率开关,其中所述功率开关的控制端子被耦合至所述RFID标签的输出端子,并且所述功率开关的负载路径端子被耦合在所述电源封装的输出端子和所述电源的第一端子之间,其中所述RFID标签的控制寄存器被预编程有第一值,使得所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第一控制信号,所述第一控制信号将所述功率开关关断;/n由所述RFID标签接收针对所述RFID标签的所述控制寄存器的第二值;以及/n由所述RFID标签,将所述第二值写入所述RFID标签的所述控制寄存器,使得所述RFID标签被配置为...

【技术特征摘要】
20190924 US 16/581,0191.一种方法,包括:
提供电源封装,所述电源封装包括电源、与所述电源耦合的射频识别RFID标签和功率开关,其中所述功率开关的控制端子被耦合至所述RFID标签的输出端子,并且所述功率开关的负载路径端子被耦合在所述电源封装的输出端子和所述电源的第一端子之间,其中所述RFID标签的控制寄存器被预编程有第一值,使得所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第一控制信号,所述第一控制信号将所述功率开关关断;
由所述RFID标签接收针对所述RFID标签的所述控制寄存器的第二值;以及
由所述RFID标签,将所述第二值写入所述RFID标签的所述控制寄存器,使得所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第二控制信号,所述第二控制信号将所述功率开关导通。


2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一控制信号是由所述RFID标签的脉宽调制PWM电路生成的第一PWM信号,其中所述第一PWM信号的第一占空比通过所述控制寄存器中的所述第一值而被确定。


3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二控制信号是由所述PWM电路生成的第二PWM信号,其中所述第二PWM信号的第二占空比通过所述控制寄存器中的所述第二值而被确定。


4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一占空比为0%,并且所述第二占空比为100%。


5.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一占空比为100%,并且所述第二占空比为0%。


6.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第二值写入所述控制寄存器包括:
由所述RFID标签,从RFID阅读器接收第一密码;
由所述RFID标签来验证所述第一密码与所述RFID标签中存储的第二密码匹配;以及
在验证所述第一密码与所述第二密码匹配之后,由所述RFID标签的RFID块,将所述第二值写入所述控制寄存器。


7.根据权利要求1所述的方法,其中所述电源是电池或切换模式电源SMPS。


8.根据权利要求1所述的方法,其中所述功率开关是晶体管,并且所述功率开关的所述控制端子是所述晶体管的栅极。


9.根据权利要求1所述的方法,其中所述电源的所述第一端子是所述电源的正极端子。


10.根据权利要求1所述的方法,其中所述电源的所述第一端子是所述电源的负极端子。


11.一种方法,包括:
接收具有第一输出端子和第二输出端子的电源封装,所述电源封装包括电源、与所述电源耦合的射频识别RFID标签以及功率开关,其中所述功率开关的控制端子被耦合至所述RFID标签的输出端子,并且所述功率开关的负载路径端子被耦合在所述第一输出端子与所述电源的正极端子和负极端子中的第一端子之间,其中所述RFID标签被预编程到第一操作状态,其中在所述第一操作状态中,所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第一控制信号,所述第一控制信号将所述功率开关关断,其中当所述功率开关被关断时,所述电源封装被配置为被禁用;
确定...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·N·特兰
申请(专利权)人:意法半导体公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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