一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法技术

一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，包括用硬掩膜层填平分布有密集和孤立的FIN鳍式器件衬底；根据工艺要求确定在硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度，选取抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T

【技术实现步骤摘要】
一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法
本专利技术涉及半导体集成电路工艺
，特别是涉及一种改善鳍式器件(鳍式场效应晶体管器件FinField-EffectTransistor，FinFET)衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法。
技术介绍
在集成电路(IC)制造过程中，光刻工艺是较为常用的工艺流程。请参阅图1，图1所示为现有技术中平板晶体管(PlanarMOS)光刻聚焦系统的反射示意图。如图1所示，该传统的平板晶体管从上到下因此至少包括衬底层(Siliconsubstrate)、覆盖有硬腌膜(Hardmask)的图形化层(patternlayer)、抗反射层(BARC)和光刻胶(Resist)。本领域技术人员清楚，对传统的平板晶体管(PlanarMOS)执行曝光工艺之前，通常都需要进行晶圆衬底曝光区域平坦度的测量(leveling)。光刻机在做平坦度的测量过程中是采用可见光(波长600纳米～1050纳米)照射曝光区域，这种光可以穿过光刻胶(Resist)和抗反射层(BARC)以及一些可透光的中间层，将衬底上的高低不平的图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：提供一鳍式场效应晶体管器件衬底，所述鳍式场效应晶体管器件衬底上的不同位置分布有FIN密集区域和FIN孤立区域，并采用硬掩膜层覆盖填平所述FIN密集区域和FIN孤立区域；/n步骤S2：根据工艺要求，确定在所述硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度，选取所述抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T

【技术特征摘要】
1.一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：提供一鳍式场效应晶体管器件衬底，所述鳍式场效应晶体管器件衬底上的不同位置分布有FIN密集区域和FIN孤立区域，并采用硬掩膜层覆盖填平所述FIN密集区域和FIN孤立区域；
步骤S2：根据工艺要求，确定在所述硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度，选取所述抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T1、T2、…TN)，根据所述抗反射层的N个厚度值(T1、T2、…TN)分别搭配所述光刻胶层的厚度、所述抗反射层与所述光刻胶层在193纳米波长紫外光下的折射率、以及所述硬掩膜层材料的介电系数，仿真模拟出所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图；
步骤S3：根据所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图，选择所述抗反射层厚度范围内反射率最低点对应的抗反射层厚度为最佳抗反射层厚度Ti；
步骤S4：确定位于紫外光波长范围中的M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，其中，所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)介于200nm～400nm之间；
步骤S5：根据所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，以及所述抗反射材料最佳厚度Ti，仿真模拟反推出反射率最大时对应的紫外光波长值Lj，所述紫外光波长值Lj介于200n...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭翔，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31