存储器阵列的印迹恢复制造技术

本申请涉及存储器阵列的印迹恢复。在一些情况下，存储器单元可被压印，压印可以指其中单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的状况。经压印存储器单元可以使用恢复或修复过程来恢复，此过程可以根据各种条件、检测或推断发起。在一些实例中，一种系统可配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固性、准确性或效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器阵列的印迹恢复交叉引用本专利申请要求斯特兰德(Strand)等人于2019年9月24日提交的标题为“存储器阵列的印迹恢复(IMPRINTRECOVERYFORMEMORYARRAYS)”的第16/581,005号美国专利申请的优先权，该申请转让给本受让人，且明确地以全文引用的方式并入本文中。

涉及存储器系统的印迹管理。
技术介绍
存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可以存储多于两个状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n确定一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中；/n至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中，限制对所述一组存储器单元的存取；/n在对所述一组存储器单元的存取被限制时在所述一组存储器单元上执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序旨在提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储相应第二逻辑状态之间切换的能力；以及/n在执行所述印迹恢复程序之后，准许存取所述一组存储器单元。/n

【技术特征摘要】
20190924 US 16/581,0051.一种方法，其包括：
确定一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中；
至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中，限制对所述一组存储器单元的存取；
在对所述一组存储器单元的存取被限制时在所述一组存储器单元上执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序旨在提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储相应第二逻辑状态之间切换的能力；以及
在执行所述印迹恢复程序之后，准许存取所述一组存储器单元。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在执行所述印迹恢复程序之后，确定所述印迹恢复程序是否成功。


3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于确定所述印迹恢复程序不成功，在所述一组存储器单元上执行第二印迹恢复程序。


4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
向包含所述一组存储器单元的存储器装置的主机装置传输所述印迹恢复程序是否成功的指示。


5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述印迹恢复程序包括：
向所述一组存储器单元施加一或多个电压脉冲。


6.根据权利要求5所述的方法，其中：
所述一或多个电压脉冲的第一子集具有第一极性；且
所述一或多个电压脉冲的第二子集具有第二极性。


7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
向所述一组存储器单元写入第一组逻辑状态；
读取所述一组存储器单元以获得至少部分地基于写入所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；以及
确定所述第二组逻辑状态和所述第一组逻辑状态之间的差的数量，其中确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中至少部分地基于所述第二组逻辑状态和所述第一组逻辑状态之间的差的所述数量。


8.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述一组存储器单元包括铁电存储器单元；且
所述印迹恢复程序旨在至少部分地基于更改所述铁电存储器单元内的静电域的配置，提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储所述相应第二逻辑状态之间切换的所述能力。


9.一种方法，其包括：
确定提高一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的能力；
至少部分地基于确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力，修改所述一组存储器单元的操作参数；以及
至少部分地基于修改后的操作参数，操作所述一组存储器单元。


10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
确定所述一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中，其中确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印。


11.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述操作参数包括所述一组存储器单元的刷新操作的时间频率；且
修改所述操作参数包括增加所述一组存储器单元的刷新操作的所述时间频率。


12.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述一组存储器单元的刷新程序包括所述一组存储器单元中的每一存储器单元的至少一个刷新操作；
所述操作参数包括针对所述一组存储器单元的每一刷新程序的刷新操作的数量；且
修改所述操作参数包括增加针对所述一组存储器单元的每一刷新程序的刷新操作的所述数量。


13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
通过从所述一组存储器单元读取相应第一逻辑状态并向所述一组存储器单元写入相应第二逻辑状态来执行所述数量的刷新操作。


14.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述操作参数包括所述存储器装置针对所述一组存储器单元能够跳过的所命令刷新操作的数量；且
修改所述操作参数包括减少所述存储器装置针对所述一组存储器单元能够跳过的所命令刷新操作的所述数量...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·斯特兰德，S·S·巴苏塔，S·B·拉克什曼，J·D·哈姆斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US