存储器单元的印迹恢复制造技术

本申请涉及存储器单元的印迹恢复。在一些情况下，存储器单元可被压印，压印可以指其中单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的状况。经压印存储器单元可以使用恢复或修复过程来恢复，此过程可以根据各种条件、检测或推断发起。在一些实例中，一种系统可配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固性、准确性或效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元的印迹恢复交叉引用本专利申请要求哈姆斯(Harms)等人于2019年9月24日提交的标题为“存储器单元的印迹恢复(IMPRINTRECOVERYFORMEMORYCELLS)”的第16/580,972号美国专利申请的优先权，该申请转让给本受让人，且明确地以全文引用的方式并入本文中。

涉及存储器系统的印迹管理。
技术介绍
存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可以存储多于两个状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n确定在配置成存储一组逻辑状态中的一个的存储器单元上执行印迹恢复程序，其中所述印迹恢复程序旨在提高所述存储器单元在存储所述一组逻辑状态中的第一逻辑状态和存储所述一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切换的能力；以及/n至少部分地基于确定执行所述印迹恢复程序，向所述存储器单元施加一组一或多个电压脉冲，每个电压脉冲具有与所述第二逻辑状态相关联的极性。/n

【技术特征摘要】
20190924 US 16/580,9721.一种方法，其包括：
确定在配置成存储一组逻辑状态中的一个的存储器单元上执行印迹恢复程序，其中所述印迹恢复程序旨在提高所述存储器单元在存储所述一组逻辑状态中的第一逻辑状态和存储所述一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切换的能力；以及
至少部分地基于确定执行所述印迹恢复程序，向所述存储器单元施加一组一或多个电压脉冲，每个电压脉冲具有与所述第二逻辑状态相关联的极性。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
向所述存储器单元施加第二组一或多个电压脉冲，每个电压脉冲具有与所述第一逻辑状态相关联的第二极性。


3.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述一组一或多个电压脉冲各自具有第一持续时间；且
所述第二组一或多个电压脉冲各自具有短于所述第一持续时间的第二持续时间。


4.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述一组一或多个电压脉冲各自具有第一振幅；且
所述第二组一或多个电压脉冲各自具有小于所述第一振幅的第二振幅。


5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在施加所述一组一或多个电压脉冲之后，确定将所述第二逻辑状态写入到所述存储器单元；以及
至少部分地基于确定写入所述第二逻辑状态，将所述第二逻辑状态的写入电压施加到所述存储器单元，其中所述写入电压具有比所述一组一或多个电压脉冲中的每一个小的振幅。


6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别上面要执行所述印迹恢复程序的一组存储器单元，所述存储器单元包含在所述一组存储器单元中；以及
至少部分地基于包含在所述一组存储器单元中的存储器单元的数量，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别所述存储器单元在所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态中压印的严重性；以及
至少部分地基于所述存储器单元被压印的所述严重性，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别包含所述存储器单元的存储器装置的年龄；以及
至少部分地基于所述存储器装置的所述年龄，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别包含所述存储器单元的存储器装置的温度；以及
至少部分地基于所述存储器装置的所述温度，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别用于执行所述印迹恢复程序的时间窗的持续时间；以及
至少部分地基于用于执行所述印迹恢复程序的所述时间窗的所述持续时间，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
识别可用于执行所述印迹恢复程序的电力量；以及
至少部分地基于可用于执行所述印迹恢复程序的所述电力量，确定所述一组一或多个电压脉冲中的电压脉冲的持续时间、振幅或数量，其中所述施加至少部分地基于确定电压脉冲的所述持续时间、所述振幅或所述数量。


12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定在所述存储器单元上执行存取程序，所述存取程序包括读取部分和写入部分，其中在所述读取部分和所述写入部分之间的时间将所述一组一或多个电压脉冲施加到所述存储器单元。


13.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述存储器单元包括铁电存储器单元；且
所述印迹恢复程序旨在至少部分地基于更改所述铁电存储器单元内的静...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·哈姆斯，J·J·斯特兰德，S·S·巴苏塔，S·B·拉克什曼，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US