均热板制备的方法以及均热板技术

本发明专利技术公开了一种均热板制备的方法及均热板，涉及电子芯片散热技术领域。所述方法包括：将下盖的一面沿预设的第一方向按照预设的第一间隔进行液相蚀刻，以及沿第二方向按照预设的第二间隔进行液相蚀刻，得到若干蚀刻槽；在每一所述蚀刻槽的表面进行加工处理，以使每一所述蚀刻槽的表面形成若干纳米级颗粒和孔洞结构；将所述上盖与所述下盖的一面的边缘对齐，并将所述边缘通过焊接密封；其中，所述上盖以及所述下盖形成仅有一侧设置有开口的均热板，所述开口与每一所述蚀刻槽连通；将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理；从而降低均热板的加工周期。

【技术实现步骤摘要】
均热板制备的方法以及均热板
本专利技术涉及电子芯片散热
，特别是涉及一种均热板制备的方法以及均热板。
技术介绍
随着5G技术的不断成熟，5G手机逐步成为市场主流。用于手机散热的超薄均热板需求量逐步提升。传统工艺采将金属网、金属粉等作为内部吸液芯原材料，并通过烧结工艺烧结在均热板的上盖和下盖之间的空腔内，然而采用这种方式制成的均热板制造周期长。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，提出一种均热板制备的方法以及均热板，可以降低均热板制造周期。根据本专利技术实施例的一种均热板制备的方法，其中，均热板包括上盖以及下盖，包括如下步骤：将所述下盖的一面沿预设的第一方向按照预设的第一间隔进行液相蚀刻，以及沿第二方向按照预设的第二间隔进行液相蚀刻，得到若干蚀刻槽；在每一所述蚀刻槽的表面进行加工处理，以使每一所述蚀刻槽的表面形成若干纳米级颗粒和/或孔洞结构；将所述上盖与所述下盖的一面的边缘对齐，并将所述边缘通过焊接密封；其中，所述上盖以及所述下盖形成仅有一侧设置有开口的均热板，所述开口与每一所述蚀刻槽连通；将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理。根据本专利技术的上述实施例，至少具有以下有益效果：通过液相蚀刻方式形成若干蚀刻槽并在在蚀刻槽的槽面设置若干纳米级颗粒和/或孔洞结构，使得下盖形成毛细吸液结构，且每一蚀刻槽的槽面均呈现超亲水状态。而直接在蚀刻槽的槽面设置若干纳米级颗粒和/或孔洞结构，可以无需将再将吸液芯原材料烧结到下盖中，节约烧结所产生的时间，从而降低均热板制造周期。根据本专利技术的一些实施例，所述第一方向和所述第二方向上的所述蚀刻槽之间的夹角在20°至90°。通过设置交错方向的蚀刻槽，可以加快液体在均热板中流动的速度，从而提升散热的效率。根据本专利技术的一些实施例，所述第一间隔以及所述第二间隔的数值范围为30μm-200μm，每一所述蚀刻槽的深度设置范围为30μm-400μm，每一所述蚀刻槽的宽度设置范围为30μm-400μm，所述蚀刻槽的深度的值大于所述蚀刻槽的宽度的值。根据本专利技术的一些实施例，所述第一间隔、所述第二间隔、所述深度以及所述宽度通过热源功耗以及热源面积转换得到。通过将第一间隔、第二间隔、深度以及宽度与热源功耗以及热源面积进行关联换算，使得制成的均热板满足散热需求，从而提升均热板生产的良品率。根据本专利技术的一些实施例，所述将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理，包括如下步骤：将注液管从所述开口安装至所述均热板内；将所述散热工质通过所述注液管注入所述蚀刻槽；将所述均热板进行真空处理，并将所述开口进行二次密封处理。因此，通过将均热板进行真空处理，可以提升均热板的散热效率。根据本专利技术的一些实施例，所述将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理，还包括如下步骤：对二次密封处理后的所述均热板进行加热除气处理。通过加热除气处理，使得均热板的真空度更高。根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括如下步骤：对所述均热板进行密封性侧漏处理。通过在进行真空处理前加入密封性侧漏处理，可以提前对均热板进行检测，提升均热板的生产效率。根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括如下步骤：将所述上盖与所述蚀刻槽相对的一面进行蚀刻工艺或冲压工艺加工处理，以使在所述上盖上形成第三凹槽，且所述第三凹槽内设置有若干支撑柱。通过设置第三凹槽可以增大上盖和下盖之间的密闭腔体的空间，同时，通过支撑柱提供支撑力给上盖，以保护上盖。根据本专利技术的一些实施例，所述纳米级颗粒和/或孔洞结构通过激光脉冲烧蚀处理得到。通过激光脉冲烧蚀可以获得更加丰富的纳米级颗粒和/或孔洞结构，提升蚀刻槽的亲水性。根据本专利技术实施例的一种均热板，所述均热板通过上述任一所述的均热板制备的方法得到。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本专利技术实施例的均热板制备的方法的主要步骤图；图2为本专利技术实施例的均热板制备的方法的二次密封步骤图；图3为本专利技术实施例的均热板的分解示意图；图4为本专利技术实施例的均热板的上盖结构图。附图标记：上盖100、第一凹槽110、第三凹槽120、支撑柱130、下盖200、第二凹槽210、蚀刻槽220、注液管300。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。如果有描述到若干，其中若干表示一个或者一个以上；如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系，涉及数值范围的均包括范围的端值。本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。下面参照图1至图4描述本专利技术的均热板的制备方法以及均热板。均热板包括上盖100以及下盖200，如图1所示，均热板制备的方法包括如下步骤：步骤S100、将所述下盖200的一面沿预设的第一方向按照预设的第一间隔进行液相蚀刻，以及沿第二方向按照预设的第二间隔进行液相蚀刻，得到若干蚀刻槽220。需说明的是，第一间隔可以和第二间隔的值一致，也可以不一致。位于第一方向的蚀刻槽220相互平行，位于第二方向的蚀刻槽220相互平行。步骤S200、在每一蚀刻槽220的表面进行加工处理，以使每一蚀刻槽220的表面形成若干纳米级颗粒和/或孔洞结构。步骤S300、将上盖100与下盖200的一面的边缘对齐，并将边缘通过焊接密封；其中，上盖100以及下盖200形成仅有一侧设置有开口的均热板，开口与每一蚀刻槽220连通。需说明的是，可以在上盖100以及下盖200的一侧分别设置第一凹槽110和第二凹槽210，以使焊接密封后，第一凹槽110和第二凹槽210边缘对齐后，形成注液管300道。此时，注液管300道远离蚀刻槽220的一端为未封闭状态(即开口)。需说明的是，焊接包括高温钎焊、激光焊、扩散焊、超声波焊接、电阻焊接中至少一种。需说明的是，上盖100和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均热板制备的方法，其特征在于，均热板包括上盖以及下盖，包括如下步骤：/n将所述下盖的一面沿预设的第一方向按照预设的第一间隔进行液相蚀刻，以及沿第二方向按照预设的第二间隔进行液相蚀刻，得到若干蚀刻槽；/n在每一所述蚀刻槽的表面进行加工处理，以使每一所述蚀刻槽的表面形成若干纳米级颗粒和/或孔洞结构；/n将所述上盖与所述下盖的一面的边缘对齐，并将所述边缘通过焊接密封；其中，所述上盖以及所述下盖形成仅有一侧设置有开口的均热板，所述开口与每一所述蚀刻槽连通；/n将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种均热板制备的方法，其特征在于，均热板包括上盖以及下盖，包括如下步骤：
将所述下盖的一面沿预设的第一方向按照预设的第一间隔进行液相蚀刻，以及沿第二方向按照预设的第二间隔进行液相蚀刻，得到若干蚀刻槽；
在每一所述蚀刻槽的表面进行加工处理，以使每一所述蚀刻槽的表面形成若干纳米级颗粒和/或孔洞结构；
将所述上盖与所述下盖的一面的边缘对齐，并将所述边缘通过焊接密封；其中，所述上盖以及所述下盖形成仅有一侧设置有开口的均热板，所述开口与每一所述蚀刻槽连通；
将散热工质从所述开口注入至所述蚀刻槽，并进行二次密封处理。


2.根据权利要求1所述的均热板制备的方法，其特征在于，
所述第一方向和所述第二方向上的所述蚀刻槽之间的夹角范围在20°至90°。


3.根据权利要求1所述的均热板制备的方法，其特征在于，
所述第一间隔以及所述第二间隔的数值范围为30μm-200μm，每一所述蚀刻槽的深度设置范围为30μm-400μm，每一所述蚀刻槽的宽度设置范围为30μm-400μm，所述蚀刻槽的深度的值大于所述蚀刻槽的宽度的值。


4.根据权利要求3所述的均热板制备的方法，其特征在于，
所述第一间隔、所述第二间隔、所述深度以及所述宽度通过热源功耗以及热源面积转换得到。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩一丹，于全耀，梁平平，李学华，
申请(专利权)人：东莞领杰金属精密制造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44