一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法技术

本发明专利技术公开一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，包括以下步骤：S1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底；S2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室中；S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，使真空度达到8.0*10

【技术实现步骤摘要】
一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法
本专利技术涉及功能薄膜制备
，具体是一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法。
技术介绍
电致变色材料分为无机电致变色材料和有机电致变色材料。因其在低压驱动下光学性能可实现可逆转变而备受关注，最直接的表面特征就是电压不同，材料的颜色随之发生变化，其中无机电致变色材料的典型代表是几种电致变色膜系的复合，使得材料达到最佳的变色效果，而复合膜系中的核心膜层是氧化钨，氧化钨薄膜性能的好坏直接决定着电致变色薄膜的总体性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，该方法制备得到的氧化钨薄膜具有膜层厚度均匀、性能优良稳定的特点，且工艺简单、可控性强。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，包括以下步骤：S1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底；S2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室中；S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，使真空度达到8.0*10-6Pa本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底；/nS2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室中；/nS3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，使真空度达到8.0*10

【技术特征摘要】
1.一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底；
S2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室中；
S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，使真空度达到8.0*10-6Pa；
S4、当真空度达到10-6Pa时，对衬底进行加热至300℃，并通入氩气，同时开启直流电源，使靶材进行预溅射；
S5、预溅射完毕后，通入氧气，溅射氧化钨薄膜；
S6、溅射完毕后，待磁控溅射镀膜腔室降温至室温后...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈洪雪，汤永康，王天齐，金克武，
申请(专利权)人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34