一种银合金键合线的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种银合金键合线的制备方法，包括熔炼、拉铸、一次拉丝、中间退火、二次拉丝、最后退火过程；熔铸时，熔炼原料为：0.006%~0.012%的铈、2%~5%的铜、0.04~0.08%的镧、0.02%~0.05%的钨、1%~4%的铝、0.5%~1%的钯，余量：银，银为88银；在银原料中，按照上述比例依次添加铈、铜、镧、钨、铝、钯。

【技术实现步骤摘要】
一种银合金键合线的制备方法
本专利技术涉及化学检测
，具体涉及一种银合金键合线的制备方法。
技术介绍
引线键合以其工艺简单、技术成熟、成本低廉、适合多种封装形式的特点，在LED封装中依然是主流技术。随着微电子产业的蓬勃发展，对封装技术的要求越来越高，封装技术朝着高密度、小型化、适应高发热方向发展，对键合引线的要求也越来越高，高密度、高热导率、低弧度、超细直径的键合引线成为了研发重点。键合金线因其耐腐蚀性好、可靠性高，在封装行业的中高端产品中广泛使用，但是金线造价昂贵，为降低封装成本，市场上又相继推出了各种金线的替代品，其中键合铜线作为金线的可行性替代材料已经开始应用，但由于其硬度较大，键合时容易导致芯片损伤；且在非气密性封装中易发生腐蚀，直接影响键合后器件的可靠性，只能应用于一些中低端产品。键合银线由于其优秀的电热学性能(可降低器件高频噪声、降低大功率LED发热量等)、良好的稳定性及适当的成本因素，开始逐渐应用于微电子封装中，但纯银线具有强度低、易发生电子迁移、金属间化合物生长难以控制，以及较易被腐蚀硫化等弊端，导致纯银线键合可靠性低，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银合金键合线的制备方法，其特征在于，包括熔炼、拉铸、一次拉丝、中间退火、二次拉丝、最后退火过程；熔铸时，熔炼原料为：0.006%~0.012%的铈、2%~5%的铜、0.04~0.08%的镧、0.02%~0.05%的钨、1%~4%的铝、0.5%~1%的钯，余量：银，银为88银；在银原料中，按照上述比例依次添加铈、铜、镧、钨、铝、钯。/n

【技术特征摘要】
1.一种银合金键合线的制备方法，其特征在于，包括熔炼、拉铸、一次拉丝、中间退火、二次拉丝、最后退火过程；熔铸时，熔炼原料为：0.006%~0.012%的铈、2%~5%的铜、0.04~0.08%的镧、0.02%~0.05%的钨、1%~4%的铝、0.5%~1%的钯，余量：银，银为88银；在银原料中，按照上述比例依次添加铈、铜、镧、钨、铝、钯。


2.根据权利要求1所述的一种银合金键合线的制备方法，其特征在于，采用高频炉真空保护多次熔炼，熔炼温度为1200℃~1400℃，并在此温度精炼30min；
冷却至室温后，再重复熔炼过程，总共熔炼三次。


3.根据权利要求1所述的一种银合金键合线的制备方法，其特征在于，拉铸，拉铸温度在1100℃，结晶器冷切水控制在0.8MPa,水流量控制为20~25m3/h，速度为30mm/s，最终获得10mm的线材。

【专利技术属性】
技术研发人员：王善林，尹立孟，陈玉华，王刚，黄永德，陈宜，闫玲，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西;36